TSV

3D封装架构主要分为芯片对芯片集成、封装对封装集成和异构集成三大类，分别采用TSV、TCB和混合键合等先进工艺实现高密度互连。

2025-10-16 标签：芯片TSV3D封装 1.3k 0

硅通孔（Through Silicon Via，TSV）技术是一种通过在硅介质层中制作垂直导通孔并填充导电材料来实现芯片间垂直互连的先进封装技术。

2025-10-13 标签：制造工艺TSV先进封装 2.9k 0

硅通孔（TSV）技术借助硅晶圆内部的垂直金属通孔，达成芯片间的直接电互连。相较于传统引线键合等互连方案，TSV 技术的核心优势在于显著缩短互连路径（较引...

2025-10-14 标签：电镀TSV硅通孔 6.2k 0

技术区别TSV硅通孔（ThroughSiliconVia），指连接硅晶圆两面并与硅衬底和其他通孔绝缘的电互连结构。硅中介层有TSV的集成是最常见的一种2...

2025-10-11 标签：芯片TSV 610 0

在三维集成电路设计中，TSV（硅通孔）技术通过垂直互连显著提升了系统集成密度与性能，但其物理尺寸效应与寄生参数对互连特性的影响已成为设计优化的核心挑战。

2025-08-25 标签：集成电路TSV硅通孔 2.1k 0

在三维集成电路设计中，TSV技术通过垂直互连显著优化了互连线长分布特性。基于伦特定律的经典分析框架，可构建适用于三维集成系统的互连线长分布模型。

2025-08-21 标签：集成电路模型TSV 742 0

在 MEMS（微机电系统）中，铜（Cu）因优异的电学、热学和机械性能，成为一种重要的金属材料，广泛应用于电极、互连、结构层等关键部件。

2025-08-12 标签：mems微机电系统TSV 759 0

凸点（Bump）是倒装芯片的“神经末梢”，其从金凸点到Cu-Cu键合的演变，推动了芯片从平面互连向3D集成的跨越。未来，随着间距缩小至亚微米级、材料与工...

2025-08-12 标签：锡膏TSV倒装芯片 3.1k 0

本文主要讲述TSV工艺中的硅晶圆减薄与铜平坦化。 硅晶圆减薄与铜平坦化作为 TSV 三维集成技术的核心环节，主要应用于含铜 TSV 互连的减薄芯片制造流...

2025-08-12 标签：硅晶圆集成技术TSV 1.4k 0

2.5D/3D封装技术作为当前前沿的先进封装工艺，实现方案丰富多样，会根据不同应用需求和技术发展动态调整，涵盖芯片减薄、芯片键合、引线键合、倒装键合、T...

2025-08-05 标签：封装技术TSV先进封装 2.5k 0

为了消除传统贝塞尔光束的旁瓣引起的烧蚀，利用WOP平面锥镜/平板锥透镜定制飞秒贝塞尔光束。定制的飞秒贝塞尔光束可用于在100μm厚的硅基衬底上制造直径约...

2024-12-09 标签：集成电路TSV硅通孔 1.9k 0

谈一谈先进封装中的互连工艺，包括凸块、RDL、TSV、混合键合，有哪些新进展？可以说，互连工艺是先进封装的关键技术之一。在市场需求的推动下，传统封装不断...

2024-11-21 标签：SiP半导体封装TSV 4.4k 0

“方寸无垠 恒然天成 ”。在科技的广袤星空中，先进封装如一颗璀璨的新星，散发着独特而迷人的光芒。2.5D/3D TSV 技术就像是一位神奇的建筑师，在微...

2024-11-04 标签：晶圆级TSV先进封装 1.7k 0

共读好书 周晓阳 （安靠封装测试上海有限公司） 摘要： 微电子技术的不断进步使得电子信息系统朝着多功能化、小型化与低成本的方向全面发展。其中封装工艺正扮...

2024-06-23 标签：TSV先进封装 3.3k 0

随着半导体技术的飞速发展，传统的二维平面集成方式已经逐渐接近其物理极限。为了满足日益增长的性能需求，同时克服二维集成的瓶颈，三维集成技术应运而生。其中，...

2024-04-03 标签：芯片半导体TSV 6.2k 0

共读好书 魏红军 段晋胜 (中国电子科技集团公司第二研究所) 摘要： 论述了 TSV 技术发展面临的设备问题，并重点介绍了深硅刻蚀、 CVD/PVD 沉...

2024-03-12 标签：芯片封装TSV 2.2k 0