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化学气相淀积(CVD)是借助混合气体发生化学反应,在硅片表面沉积一层固体薄膜的核心工艺。在集成电路制造流程中,CVD 工艺除了可用于沉积金属阻挡层、种子...
玻璃回流(reflow)技术是通过升温加热杂氧化硅,使其产生流动特性的工艺,常见的回流处理对象包含硼磷硅玻璃(boro-phospho-silicate...
从铝到铜,再到钌与铑,半导体布线技术的每一次革新,都是芯片性能跃升的关键引擎。随着制程进入2nm时代,传统铜布线正面临电阻与可靠性的极限挑战,而镶嵌(大...
在超高纯度晶圆制造过程中,尽管晶圆本身需达到11个9(99.999999999%)以上的纯度标准以维持基础半导体特性,但为实现集成电路的功能化构建,必须...
在芯片设计中,Guard Ring(保护环) 是一种环绕在敏感电路或器件(如模拟电路、高精度器件、存储器单元、I/O驱动器等)周围的版图结构,形成关键的...
薄膜刻蚀与薄膜淀积是集成电路制造中功能相反的核心工艺:若将薄膜淀积视为 “加法工艺”(通过材料堆积形成薄膜),则薄膜刻蚀可称为 “减法工艺”(通过材料去...
针对不同的连铸需求,如方坯连铸、板坯连铸、圆坯连铸,以及不同钢种(碳钢、不锈钢、高合金钢等)或有色金属的连铸工艺,ProCAST 提供了高度灵活的建模与...
随着半导体工艺进入纳米尺度,传统体硅(Bulk CMOS)技术面临寄生电容大、闩锁效应等瓶颈。SOI技术凭借埋氧层(BOX)的物理隔离优势,成为航空航天...
集成电路采用LOCOS(Local Oxidation of Silicon)工艺时会出现“鸟喙效应”(bird beak),这是一种在氧化硅生长过程中...
对芯片产业链上的光罩厂、设计公司而言,掩模版数据处理环节的效率与精度,直接决定着产品能否如期上市、良率能否达标、成本能否可控。当芯片工艺向更先进节点跨越...
新思科技近期宣布,其LPDDR6 IP已在台积公司 N2P 工艺成功流片,并完成初步功能验证。这一成果不仅巩固并强化了新思科技在先进工艺节点 IP 领域...
当客户问为什么产品效率难以突破,答案往往藏在工艺细节里。新能源汽车续航提升5%、65W快充体积缩小40%,这些突破的核心在于MOS管工艺选型。
在微机电系统(MEMS)领域,金属铬(Cr)因其独特的物理化学性质和工艺兼容性而被广泛应用。其物理化学性质表现为:具有较高的熔点约1907°C,良好的机...
新思科技近日宣布,正与三星代工厂持续紧密合作,为先进边缘AI、HPC和AI应用的下一代设计提供强大支持。双方合作助力共同客户实现复杂设计的成功流片,并缩...
近日,珠海创飞芯科技有限公司宣布,其自主研发的 55BCD ( 55nm Bipolar-CMOS-DMOS Generic Process) 工艺 O...
为了提供更好的用户体验,包括高质量的视频传输、更新的笔记本电脑(例如最新的 AI PC)和其他前沿设备,都需要 5 纳米及以下的先进节点 SoC,以达成...
磁致伸缩位移传感器核心工艺涉及波导丝材料加工、磁环设计、电子电路集成、信号接口、EMC设计、测杆封装及系统校准。技术突破需解决高精度、微型化与抗干扰能力...
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