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标签 > 半桥
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在电子工程师的设计世界里,选择合适的功率模块至关重要。今天,我们就来深入了解 onsemi 的 SNXH800H120L7QDSG 半桥 IGBT 模块...
在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块一直是实现高效电能转换的核心组件。今天,我们将深入探讨 onsemi 推出的 NXH800H120L7...
onsemi FAD8253MX-1半桥栅极驱动器IC是一款单片式器件,专为高压、高速驱动、工作电压高达+1200V的IGBT而设计。onsemi的高压...
onsemi EVBUM2880G-EVB评估板设计用于评估1200V M3S半桥2包F1封装模块。Onsemi EVBUM2880G-EVB电路板可用...
STMicroelectronics L99H92汽车半桥前置驱动器以单H桥或双独立半桥配置驱动四个外部N沟道MOSFET晶体管,用于汽车应用中的DC电...
STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经...
STMicroelectronics EVSTGAP2SICSAC演示板设计用于评估STGAP2SICSAC隔离式单通道栅极驱动器,驱动电压高达520V...
STMicroelectronics SH63N65DM6AG功率MOSFET是一款汽车级N通道MDmesh DM6半桥拓扑功率MOSFET,提供650...
STMicroelectronics L99MH98汽车用八通道半桥前置驱动器可控制多达16个N沟道MOSFET,用于直流电机控制应用,例如汽车电动座...
STMicroelectronics STDRIVEG610半桥栅极驱动器是高性能设备,专为在各种电源转换应用中驱动N沟道MOSFET或IGBT设计。...
在电力电子领域,DC-DC变换器的拓扑结构决定了其性能特点和应用场景。半桥、全桥、反激、正激和推挽是五种常见的隔离型变换器拓扑,它们在电路结构、工作原理...
1. 产品特性(替代LMG1210) ➢ 工作频率高达 10MHz ➢ 20ns 典型传播延迟 ➢ 5ns 高侧/低侧匹配 ➢ 两种输入控制模式 ➢ 具...
在体二极管开始导通时,该绿色环保整流器控制器会感测到正向压降并接通 FET。在 FET 接通时,控制器继续感测漏-源电压,并在电流降到接近 0 安培时关...
PPT导读 通用半桥模块(infineon命名为FF)是最常见的IGBT封装型式,大规模用于两电平DC/AC变换器中,电压电流型号丰富,且具有较高的性价...
功效:符合aec-q100汽车应用要求4、6、8、10和12个半桥输出4.5v至32v工作电压40v绝对最大电压每个输出1a rms电流并行输出的最大电...
2020-07-06 标签:半桥 1.3k 0
(t1,t2)当t=t1时,S2关断,谐振电流给S1的寄生电容放电,一直到S1上的电压为零,然后S1的体内二级管导通。此阶段D1导通,Lm上的电压被输出...
抢先看,行业首款用于半桥和全桥DC-DC转换器的100 V桥式功率级模块
通过集成所有的关键功率器件,安森美半导体优化了驱动器和MOSFET动态性能、系统寄生电感和功率MOSFET RDS(ON)方面的设计,从而保持尽可能最高的能效。
美国国家半导体公司今天宣布,推出业界首款针对高压电源转换器的增强型氮化镓(GaN)功率场效应晶体管(FET)而优化的100V半桥栅极驱动器
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