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标签 > HEMT
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STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经...
继上一篇屏蔽栅MOSFET技术简介后,我们这次介绍下GaN HEMT器件。GaN 半导体材料是一种由镓元素与氮元素组成的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,在消费电子...
600-650V功率器件是Si SJ MOS(又称Si 超结MOS),SiC MOS和GaN HEMT竞争最为激烈的产品区间,其典型应用为高频高效高功率...
增强型GaN HEMT具有开关速度快、导通电阻低、功率密度高等特点,正广泛应用于高频、高效率的电源转换和射频电路中。但由于其栅极电容小,栅极阈值电压低(...
HMC772LC4 是一款 GaAs MMIC HEMT 低噪声宽带放大器,工作频率范围为 2 至 12 GHz。该放大器提供 15 dB 增益、高达 ...
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G007MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaNHEMT和Si...
该产品是保证在工业市场长期供应的产品。BM3G015MUV-LB非常适用于要求高功率密度和高效率的各种电子系统。通过将650V增强型GaN HEMT和S...
本产品是面向工业设备市场的优质产品,是适用于这些应用场景的最佳产品。BM3G005MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最优解决方案。...
本产品是面向工业设备市场的优质产品,是这些应用场景的理想之选。BM3G107MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过将...
该产品是工业设备市场的一流产品。这是在这些应用中使用的最佳产品。BM3G115MUV-LB为所有需要高功率密度和高效率的电子系统提供了最佳解决方案。通过...
CG2H80015D氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)规格书立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-09-04 标签:晶体管氮化镓HEMT 856 0
QPD1026L采用SiC HEMT的1300W(PsdB)分立GaN器件管英文手册立即下载
类别:IC datasheet pdf 2024-07-31 标签:GaNHEMT 273 0
类别:IC datasheet pdf 2022-03-31 标签:场效应管HEMT 1.2k 0
一种用于重掺杂n型接触的选择性刻蚀工艺实现了AlN/GaN HEMT的缩小 上图:原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆叠示意图 俄亥俄州立大学的工...
在数据流量呈指数级增长以及 5G 技术深度普及的当下,POE(以太网供电)交换机作为融合了数据传输与电力供应功能的关键设备,广泛应用于企业网络、5G 基...
全球知名半导体制造商ROHM Co., Ltd.(以下简称“罗姆”)的650V耐压、TOLL封装的EcoGaN产品GaN HEMT,被先进的日本电子元器...
~同时加快车载GaN器件的开发速度,以尽快投入量产~ 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已将TOLL(TO-LeadLess)封装的...
HFG610-65 是一款集成 GaN HEMT 的准谐振 (QR) 反激式稳压器,专用于高性能和高频设计。与传统QR 反激式稳压器不同,HFG610-...
高压CoolGaNGITHEMT(高电子迁移率晶体管)可靠性和验证的白皮书共33页,被翻译成中文和日文,主要介绍了英飞凌如何实现CoolGaN技术和器件...
电子发烧友网报道(文/黄山明)氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)作为新一代的半导体材料,因其禁带宽度大、临界击穿电场高、饱和电子漂移速度高等特...
随着电动汽车(EVs)的销售量增长,整车OBC(车载充电器)的性能要求日益提高。原始设备制造商正在寻求最小化这些组件的尺寸和重量以提高车辆续航里程。因此...
GaN HEMT为什么不能做成低压器件 GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱...
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