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标签 > 米勒平台
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MOS管(场效应管)的本质在栅极(G)电压对漏极(D)与源极(S)间导电沟道的精准控制,作为开关器件成为电子应用的核心。原理是当栅源电压(Vgs)超过阈...
Part 01 前言 MOSFET米勒效应是指在MOSFET的开关过程中,由于栅极-漏极之间的电容Cgd的存在,漏极电压的变化会通过该电容耦合到栅极,导...
在MOS管的上下桥驱动中,有这种现象。如下图,一个管子处在米勒平台的时候,会给另一个管子的Vgs电压充电。我用的这个管子的阈值电压最小值是1.4V,这就...
由于米勒电容阻止了Vgs的上升,从而也就阻止了Vds的下降,这样就会使损耗的时间加长。(Vgs上升,则导通电阻下降,从而Vds下降)
MOSFET的栅极驱动过程,可以简单的理解为驱动源对MOSFET的输入电容(主要是栅源极电容Cgs)的充放电过程;当Cgs达到门槛电压之后, MOSFE...
在高频开关电路设计中,很多工程师都会遇到这样的问题,明明给MOS管栅极加了足够的电压,MOS管却要延迟一段时间才能完全导通,甚至出现栅极电压停滞的情况。...
米勒效应在MOS驱动中臭名昭著,他是由MOS管的米勒电容引发的米勒效应,在MOS管开通过程中,GS电压上升到某一电压值后GS电压有一段稳定值,过后GS电...
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