在巩固其在 HBM 领域的领导地位后，SK 海力士正在与 SanDisk 合作开发高带宽 NAND 闪存 （HBF），该闪存通过 NAND 增强 HBM，用于 AI 推理工作负载。与此同时，据报道，该公司正在探索更广泛的内存领域：高带宽存储 （HBS）。正如 ETnews 报道的那样，哈佛商学院将移动 DRAM 和 NAND 相结合，以提高智能手机、平板电脑和其他移动设备的 AI 性能。报告援引消息人士解释说，SK海力士正在将低功耗宽I/O DRAM与NAND堆叠在一起，以创建HBS，它可以堆叠多达16层
关键字：
SK海力士 高带宽 存储堆叠 NAND DRAM
记忆体价格涨势持续升温，第四季DRAM市场可望迎来全面上修。 TrendForce最新调查指出，全球云端服务供应商（CSP）积极扩建数据中心，带动服务器用DRAM合约价走强，供应商同步调高报价意愿，使一般型DRAM价格预估涨幅由原先的8%~13%，上修至18%~23%。 惟目前合约价尚未完全开出，后续仍可能再次调升，反映出供需持续偏紧，市场气氛转趋乐观。观察近期CSP采购节奏，从原本保守转为积极，加单需求扩及多家原厂，尤其高容量、高频率规格的服务器DRAM需求上升，已出现排挤效应，推升主流产品报价稳步垫高
关键字：
DRAM TrendForce
在流行媒体中，“AI”通常意味着在昂贵、耗电的数据中心中运行的大型语言模型。但是，对于许多应用程序，在本地硬件上运行的较小模型更适合。自动驾驶汽车需要实时响应，没有数据传输延迟。医疗和工业应用通常依赖于无法与第三方共享的敏感数据。但是，尽管边缘 AI 应用程序可以更快、更安全，但它们的计算资源要有限得多。它们没有 TB 内存占用或有效无限的功率。对于数据中心来说，可能有些抽象的约束对边缘人工智能施加了硬性限制。在 2025 年 IEEE 国际内存研讨会的一篇特邀论文和随后的预印本中，ETH 计算机科学教授
关键字：
存内计算 边缘AI DRAM
2025年 10 月 23 日，爱达荷州博伊西市 — 在当今时代，人工智能（AI）实现了前所未有的创新和发展，整个数据中心生态系统正在向更节能的基础设施转型，以支持可持续增长。随着内存在 AI 系统中逐渐发挥越来越重要的作用，低功耗内存解决方案已成为这一转型的核心。美光科技股份有限公司（纳斯达克股票代码：MU）近日宣布其 192GB SOCAMM2（small outline compression attached memory modules，小型压缩附加内存模块）已正式送样，以积极拓展低功耗内存在
关键字：
美光 SOCAMM2 DRAM
在人工智能（AI）热潮带动下，全球存储器市场迎来三年来最强劲的复苏，第四季DRAM报价涨幅可望扩大至三成以上。 财信传媒董事长谢金河指出，韩国SK海力士凭借高带宽记忆体（HBM）技术脱颖而出，从过去的DRAM老三跃升为全球第一，今年股价狂飙近500%，且海力士专注于高阶制程，不仅拉高产品附加价值，也导致DDR4与DDR5大缺货，同时带旺整个存储器产业。谢金河在脸书发文指出，韩国是今年全亚洲表现最亮眼的股市，尤其自总统李在明上任后，韩股从2284.71点一路涨到3617.86点，涨幅高达58.35%。 这波
关键字：
DRAM SK海力士
DRAM缺货潮加速显现，在中国十一长假期间，存储器市场询单备货的动能不增反减，短期内现货价格持续飙升。近一周来，DDR4 DRAM涨幅已逾1成，DDR5 16Gb也调涨约8%。 尽管终端消费市场需求平淡，但各家存储器模组厂观察到市场价格涨势凶猛，包括台系业者的威刚、十铨、宇瞻等先后均「盖牌」暂停报价，等待长假结束后更明确的涨价行情。 据悉，此波暂停报价俨然已形成了连锁效应，威刚率先从上周实施暂停报价，以缺货最为严重的DDR4、DDR5为主，而NAND Flash、固态硬盘（SSD）等产品仍维持继
关键字：
内存模组 DRAM
据悉，三星电子和海力士半导体（现SK海力士）前高管崔振锡因向中国泄露三星电子自主研发的投资4万亿韩元的DRAM工艺技术而被起诉，在接受一审期间被保释。首尔中央地方法院刑事24庭（主审法官李英善，高级法官）15日批准崔某保释。崔于去年9月因违反《防止泄露和保护工业技术法》等罪名被捕起诉，并于今年3月被额外起诉。根据《刑事诉讼法》，一审拘留期为六个月。法院在拘留期届满前依职权准予保释。此外，据报道，与崔一起被捕并被起诉的前三星电子高级研究员吴氏已于 8 月 28 日被保释。吴某于同月21日申请保释，法院受理。
关键字：
DRAM 三星 海力士
各大存储器企业正专注于1c DRAM量产的新投资和转换投资。主要内存公司正在加快对 1c（第 6 代 10nm 级）DRAM 的投资。三星电子从今年上半年开始建设量产线，据报道，SK海力士正在讨论其近期转型投资的具体计划。美光本月还获得了日本政府的补贴，用于其新的 1c DRAM 设施。1c DRAM是各大内存公司计划在今年下半年量产的下一代DRAM。三星电子已决定在其 HBM1（第 4 代高带宽内存）中主动采用 6c DRAM。SK海力士和美光计划在包括服务器在内的通用DRAM中使用1c DRAM。三星
关键字：
存储器 1c DRAM AI HBM 三星 SK海力士 美光
存储巨头们正准备在 AI 热潮引发的短缺背景下再次提价。在三星和美光之后，SK 海力士——虽然尚未正式宣布——据 SeDaily 和 Business Korea 报道，正与客户协商根据市场条件调整价格。在三大巨头中，美光是第一个宣布提价的，据 EE Times China9 月 12 日报道，美光最初已通知渠道合作伙伴，DRAM 的价格将上涨 20%-30%，提价不仅涉及消费级和工业级存储，还包括汽车电子，后者的价格涨幅可能达到 70%。行业消息来源还表
关键字：
DRAM NAND 三星 AI 海力士
全球存储器市场在生成式AI与大型云端服务商（CSP）急单带动下，正式进入新一轮长线上行。 随着业界开始惜售，业者预期，10月DDR4与DDR5合约价及现货价，皆将出现双位数涨幅。产业界大老指出，这一波内存行情涨得又快又急，可望一路延续到2026年底。根据业界对10月涨幅最新预估，DDR5合约价将上涨10~15%，现货价涨15~25%; DDR4合约价将上涨逾10%，现货价涨幅则超过15%，随着市场供货趋紧，现货价涨幅还有进一步拉升的可能。业者分析，此波涨幅的原因有二：一是AI应用与储存需求强劲，推升NAN
关键字：
存储器 DRAM
随着 ChatGPT 等人工智能应用的爆发式增长，全球对算力的需求正以指数级态势攀升。然而，人工智能的发展不仅依赖于性能强劲的计算芯片，更离不开高性能内存的协同配合。传统内存已难以满足 AI 芯片对数据传输速度的要求，而高带宽内存（HBM）凭借创新的堆叠设计，成功攻克了带宽瓶颈、功耗过高以及容量限制这三大关键难题，为 AI 应用的高效运行提供了重要支撑。但如今，传统 HBM 已经受限，3D DRAM 能够提供更高带宽。同时还能进一步优化功耗表现，全球的存储厂商也普遍将 3D
关键字：
3D DRAM
据TrendForce集邦咨询数据显示，2025年第二季度，全球DRAM产业营收达到316.3亿美元，相比第一季度增长了17.1%。这一增长主要得益于一般型DRAM（Conventional DRAM）合约价的上涨以及出货量的显著提升，同时HBM出货规模的扩大也起到了推动作用。集邦咨询分析称，PC OEM、智能手机以及CSP厂商的采购需求逐步回升，推动DRAM原厂加速去库存化，多数产品的合约价已止跌回升。在厂商排名方面，SK海力士、三星和美光继续稳居前三。三星在第二季度的表现相对平稳，其售价和位元出货量均
关键字：
DRAM SK海力士
根据 ZDNet 的报道，韩国可能在 DRAM 和 NAND 闪存等记忆产品领域领先，但它仍然严重依赖日本的关键材料。该报告援引消息人士的话警告说，除非本地化进程更快地推进，否则这种依赖可能会成为韩国在人工智能和 HBM 竞赛中的结构性风险。报告指出，在 SK 海力士的 HBM 价值链中，超细 TSV（硅通孔）堆叠结构依赖于由日本公司主要垄断的关键材料和设备。报告强调，用于 HBM 堆叠的底部填充剂——几乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化进展缓慢。此外，SK
关键字：
内存 NAND DRAM
在AI需求爆发与高价值产品渗透的双重推动下，2025年第二季度全球DRAM市场实现量价齐升。根据CFMS最新数据，二季度市场规模环比增长20%至321.01亿美元，同比增长37%，创历史季度新高。头部厂商中，SK海力士凭借HBM3E及高容量DDR5的先发优势，二季度DRAM销售收入达122.71亿美元，环比增长25.1%，市场份额提升至38.2%，连续第二个季度稳居全球第一，并进一步拉开与三星的差距。· 三星以107.58亿美元收入位列第二，环比增长13%，市场份额33.5%；· 美光科技收入70.71亿
关键字：
DRAM SK海力士 三星 美光 HBM
dram介绍
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即动态随机存储器最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以 必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的数据就会丢失。 它的存取速度不快，在386、486时期被普遍应用。
动态RAM的工作原理 动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组 [
查看详细 ]
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473