- 随着AI计算深入终端，存储系统面临数据实时吞吐、小数据块随机读写及复杂环境可靠性等多重挑战。在此背景下，江波龙以mSSD为高速核心存储介质，通过定制硬件、固件、可靠性标准与热插拔设计，衍生出全新存储形态与品类——行业首款AI Storage Core。该创新产品已率先通过公司旗下国际高端消费类存储品牌Lexar雷克沙发布，以高达4TB的存储容量、高传输效能及热插拔设计，为AI终端设备提供高性能、高可靠性、高灵活性的存储解决方案，同时开辟了端侧AI存储的全新技术路径。 基于mSSD高速存储介质拓展
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- 人工智能就是关于二分法的。针对训练和推理工作负载，开发了不同的计算架构和处理器。在过去两年里，规模扩大和规模扩展网络逐渐出现。很快，存储也会有同样的变化。人工智能基础设施的需求促使存储公司开发SSD、控制器、NAND等技术，这些技术经过微调以支持GPU——重点是更高的IOPS（每秒输入输出作数）以进行AI推断——这将与CPU连接硬盘的技术有根本不同，后者更关注延迟和容量。这次驱动分岔很可能也不会是最后一次;预计还会看到针对训练或推理优化的硬盘。与其他技术市场一样，这些变化由人工智能的快速增长以及同样快速提
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- 在据报道的DRAM短缺以及DDR4和DDR5价格上涨的背景下，中国智能手机市场正感受到压力。据36Kr报道，一家主要国内品牌在提交需求预测后，其请求的内存容量被削减了30%至40%。那么，这在中国供应链中会如何发展？谁将受益？中国智能手机品牌受内存短缺冲击36Kr指出，过去中国的智能手机制造商会根据生产路线图向内存供应商季度下单。然而，情况已不再如此。报告引用的业内消息人士指出，现在的配额更多取决于三星或SK海力士愿意提供的供应量，而非品牌的订单量。有趣的是，报告强调了英伟达庞大的内存需求是中国内存短缺的
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- 在2025中国数据与存储峰会上，“AI”和“数据”再度成为焦点。企业数据存储领导者Solidigm在会上分享了一组引人瞩目的数据：AI推理工作负载正以超过30%的速度快速增长，催生的数据量将达393ZB，是2018年的9.8倍。与此同时，Solidigm也分享了应对这些挑战的方案：借助以QLC为核心的存储产品组合，用高密度和高性能的存储基础设施来优化数据中心能效。 Solidigm（思得）亚太区销售副总裁倪锦峰 当AI步入大规模应用，边缘AI规模逐渐扩大，产生的海量数据不仅考验着存储容
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- 财联社11月9日讯（编辑 史正丞）AI概念龙头、全球市值最高上市公司英伟达的首席执行官黄仁勋本周末再度访问台积电，亲赴芯片产线并罕见出席芯片代工巨头的职工运动会。这也是黄仁勋近3个月来第3次访问台积电，足以显示两家公司的紧密关系。据悉，黄仁勋这一次的行程加起来不足24个小时。他先是在周五返回台南老家，参访台积电晶圆十八厂，那里是台积电3nm制程的主要厂区。作为“吃瓜群众”关注的焦点，黄仁勋随后与台积电董事长兼总裁魏哲家走进当地的牛肉火锅店，随后又打包了当地的知名水果冰沙。黄仁勋在火锅店展示台积电准备的花生
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- 又一家存储龙头宣布涨价！据财联社援引台媒报道，闪存龙头闪迪（SanDisk）11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。据悉，这是闪迪今年以来至少第三次涨价。其在4月宣布全系涨价10%之后，又在9月初针对全部渠道和消费类产品执行10%普涨，打响存储涨价“第一枪”，并引发了美光等存储龙头跟进涨价。闪迪发出涨价函之前，已了解客户的2027年需求预期，且对NAND闪存市场需求给出了颇为乐观的预测：当地时间11月6日，公司高管在2026财年第一财季（截至今年10月3日）财报公布后的电话会议上表示，下游合约
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- 由于内存超级周期没有放缓的迹象，定价已经从季度周期转向快速、每月甚至每日调整。第一财经援引中国最大的电子中心深圳华强北的交易员的话报道称，飙升速度如此之快，就像“每天都有新价格”，这是多年来罕见的速度。DDR4 和 DDR5 引领潮流据第一财经全球报道，从9月开始，内存模组价格出现大幅上涨，并一直持续到现在。具体而言，报告指出，8 月份销售价格低于 90 元人民币的 8GB DDR4 模块在一个月内上涨至 100-130 元人民币，高达 ~44%。据报道，10月份涨势加速，16GB DDR4模块从200元
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- 据韩国媒体最新报道，三星第五代12层HBM3E产品通过了英伟达的认证测试，成功进入其供应链体系，这一重大突破对三星意义非凡。随着其技术实力获英伟达认可，这家韩国巨头已与SK海力士、美光形成三足鼎立之势，未来HBM市场的技术竞争料将更趋白热化。三星作为全球头部的三大主要DRAM制造商之一，过去一直是全球最大的DRAM厂商，但是却由于在HBM竞争中落后SK海力士，使得其被成功反超。本次三星通过英伟达的认证花费了约18个月，去年2月三星向英伟达提供首批12层HBM3E芯片样品测试，期间曾多次尝试达到英伟达严苛的
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- 据韩媒报道，被韩媒誉为“HBM之父”的韩国科学技术院（KAIST）电气工程系教授金仲浩表示，高带宽闪存（HBF）有望成为下一代AI时代的关键存储技术，并将与HBM并行发展，共同推动各大芯片厂商的性能增长。HBF的设计理念与HBM类似，都利用硅通孔（TSV）连接多层堆叠芯片。不同的是，HBM以DRAM为核心，而HBF则利用NAND闪存进行堆叠，具有“更高容量、更划算”的优势。Kim Joung-ho指出，虽然NAND比DRAM慢，但其容量通常大10倍以上。有效地堆叠数百层甚至数千层，可以满足AI模型的海量存
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- 随着全球数据中心部署的加速，云巨头正将其需求从训练 AI 转向推理 AI，推动了对大容量内存需求的持续增长，并导致内存供应紧张从 DRAM 转向 NAND。供应链消息人士透露，在上周闪迪将 NAND 价格上调 10%之后，美光也通知客户将暂停所有产品的价格一周。行业内部人士报告称，美光将从今天开始停止向分销商和 OEM/ODM 制造商报价，涵盖 DRAM 和 NAND 产品，甚至不愿意讨论明年的长期合同。供应链消息人士表示，在审查客户 FCST（需求预测）后，美光发现将面临严重的供应短缺，促使公司紧急暂停
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- SK hynix 今日宣布，已完成 HBM4 的开发，并最终准备好大规模生产——成为世界上首家完成这一壮举的公司。根据其新闻稿，该公司现在已准备好按照客户的时间表交付顶级 HBM4。在其新闻稿中，SK hynix 强调，其现已成为大规模生产准备的 HBM4 提供了业内领先的数据处理速度和能效。通过采用 2,048 个 I/O 端，带宽已翻倍——是上一代的两倍，而能效提高了 40%以上。该公司还预计 HBM4 将使 AI 服务性能提高高达 69%，有助于克服数据瓶颈，并显著降低数据中心电力成本，据
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- 据 TechNews 报道，引用了 Tom’s Hardware 和 Blocks & Files 的信息，新型存储技术“UltraRAM”，结合了 DRAM 和 NAND 的优势，在商业化方面取得了显著进展。英国半导体初创公司 Quinas Technology，UltraRAM 的开发者，与 IQE 合作，将其制造推进到工业规模。UltraRAM 被认为是一种融合了 DRAM 和 NAND 优势的新型存储器。据 Tom’s Hardw
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- 三星电子因与英伟达的 HBM3E 验证问题而面临困境，据韩国媒体 outlets sedaily 和 The Hankyoreh 报道，该公司在其 8 月 14 日发布的半年度报告中称，其 DRAM 市场份额按价值计算在 2025 年上半年降至 32.7%，较去年的 41.5%下降了 8.8 个百分点。值得注意的是，《韩民族日报》报道，三星的 DRAM 市场份额首次跌破 40%，自 2014 年以来，2025 年上半年降至 32.7%，而 2016 年曾达到 48%
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- 美光基于其 G9 NAND 平台推出了三款突破性数据中心 SSD，巩固了其在存储领域的领导地位。根据其新闻稿 ，该新系列提供了全球首款 PCIe Gen6 NVMe SSD，行业领先的 E3.S 容量，以及专为人工智能数据中心设计的低延迟主流 Gen5 SSD。Micron 9650 SSD：全球首款 PCIe Gen6 数据中心 SSD根据美光的说法，9650 SSD 无与伦比的 28 GB/s 性能极大地加速了 AI 训练和推理工作负载。与 Gen5 SSD 相比，9650 在每瓦性能方面表
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存储介绍
存储
cún chǔ （存存储储） 1.把钱或物等积存起来。《清会典事例·户部·库藏》：“户部奏部库空虚，应行存储款项。”《清会典·户部仓场衙门·侍郎职掌》：“每年新漕进仓，仓场酌量旧存各色米多寡匀派分储，将某仓存储某年米色数目，造册先期咨部存案。” 鲁迅 《书信集·致李小峰》：“《旧时代之死》之作者之家族，现颇窘，几个友人为之集款存储，作孩子读书之用。” 2.指积存的钱或物等 [
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