文章分类: 氮化镓GaN

九峰山实验室氮化镓新突破!即将中试验证

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:52 |
| 分类: 氮化镓GaN
2025年12月4日,九峰山实验室宣布了一项重大的科技突破——氮化镓电源模块的研发成功。该电源模块只有拇指大小,100万个指甲盖大小的“黑盒子”,装入一座容量1吉瓦(10亿瓦)的超大型AI算力中心机柜里,一年可省近3亿度电,约合2.4亿元电费。 图片来源:中国光谷 团队负责人李...  [详内文]

新微半导体:氮化镓功率全工艺平台年产能突破60,000片

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:40 |
| 分类: 氮化镓GaN
近期,由临港新片区管理委员会指导,新微半导体主办的“氮化镓驱动AI芯时代——临港氮化镓功率器件产业链峰会”成功举行。 会上,新微半导体宣布其100V-200V氮化镓功率工艺平台发布,同时该公司氮化镓功率全工艺平台实现年产能突破60,000片。 图片来源:新微半导体 新微半导体指出...  [详内文]

英诺赛科“朋友圈”+1,携手安森美剑指200毫米氮化镓技术

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:29 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
12月3日,英诺赛科(Innoscience)与安森美(Onsemi)半导体共同宣布,双方签署谅解备忘录,探讨利用Innoscience经过验证的200毫米氮化镓对硅工艺,扩大氮化镓(GaN)功率器件的生产。 图片来源:英诺赛科新闻稿截图 此次合作将结合Onsemi的系统集成、...  [详内文]

全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 05 日 16:17 |
| 分类: 氮化镓GaN
近日,广东致能半导体官微宣布,于2025年11月携手国际知名8英寸Fab完成全球首个8英寸蓝宝石基氮化镓功率器件量产落地。 图片来源:广东致能半导体官微 据介绍,致能半导体通过导入行业领先的制造工艺及创新的技术平台,产品在芯片尺寸、生产成本、电学性能、制造一致性等核心指标方面均...  [详内文]

1.14亿港元,LED企业收购氮化镓厂商

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 05 日 15:52 |
| 分类: 企业 , 氮化镓GaN
12月1日,宏光半导体发布公告,拟以约1.14亿元港元收购深圳镓宏半导体约12.98%的股权,加码第三代半导体业务。 交易方式上,代价A将由宏光半导体通过向卖方A各自的代名人配发及发行合共14677万股股份的方式支付,发行价为每股0.50港元。代价B将由公司通过向卖方B发行承兑票...  [详内文]

9mΩ车规级GaN FET:打破功率氮化镓能效天花板?

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:58 |
| 分类: 氮化镓GaN
近日,镓未来正式宣布推出G2E65R009系列650V 9mΩ车规级氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。这款符合汽车AEC-Q101标准的650V氮化镓分立器件,以全球最小的9mΩ导通电阻(Rds(on)),将为新能源汽车、工业电机、储能系统、光伏逆变等多领域带来更多技术突破的...  [详内文]

累计出货1亿颗!氮化镓电源芯片厂商启动IPO

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:53 |
| 分类: 氮化镓GaN
11月21日,东科半导体在安徽证监局办理了IPO辅导备案登记,正式启动了在A股市场的上市进程,辅导机构为东方证券,随后在同月23日被证监会官网列入已启动IPO的企业名单。此举标志着公司从高速成长的技术创新企业向资本市场迈出关键一步。 图片来源:中国证监会官网截图 资料显示,#东...  [详内文]

Allegro与英诺赛科联合,推出全GaN参考设计

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 01 日 17:48 |
| 分类: 氮化镓GaN
11月25日,全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科与全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc.(以下简称“Allegro”),宣布达成战略合作,推出了一款开创性的4.2kW全GaN参考设计,该设计采用了Allegro的...  [详内文]

高瓴创投、红杉中国等入股氮化镓相关厂商

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 01 日 16:30 |
| 分类: 氮化镓GaN
近日,工商变更信息显示,星钥半导体(武汉)有限公司完成股权融资,新增投资方为高瓴创投、红杉中国、柏睿资本。 资料显示,星钥半导体专注于硅基Micro-LED产品的研发、生产与销售,核心是把第三代半导体材料氮化镓的发光单元微缩至微米级乃至纳米级并高度集成阵列,主打高亮度Micro-...  [详内文]

氮化镓新突破,中国首个“负压直驱”千瓦级GaN器件点亮

作者 | 发布日期: 2025 年 12 月 01 日 10:30 |
| 分类: 氮化镓GaN
近日,国内氮化镓(GaN)产业迎来新突破。镓奥科技成功点亮国内首个5000W-7000W级负压直驱GaN封装样机,填补国内千瓦级高压直驱技术空白;南芯科技推出700V高压GaN半桥功率芯片SC3610,以高集成、高精度驱动性能适配高端电源场景。 两项成果分别聚焦大功率工业级应用与...  [详内文]