GMN1003LM
固锝GOOD-ARK
PDFN5060
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
N沟道30V(D-S)功率MOSFET型号:GMN1003LM品牌:GOOD-ARK封装:PDFN5060100%雪崩测试极低损耗,FOM Rdson*Qg低无卤素、无铅符合RoHS标准应用:直流电机、灯具电源切换jue对zui大额定...
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NTR4101PT1G
ON(安森美)
DFN
无铅环保型
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深圳市星源微科技有限公司,成立于2008年10月,主营电子元器件领域国内外贸易和为客户提供剩余库存解决方案、批量采购。 只做原装,百分百自家现货,严格的品质管理、优异的技术支持...
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AUIRFP064N-IR
杰盛微
TO-247
无铅环保型
直插式
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小功率
AUIRFP064N-IR 杰盛微原厂直供深圳市杰興電子有限公司 专营二.三级管等电子,诚信合作. 欢迎大众惠顾! 强势推出原装大功率三极管打造市场 本公司zui新到货大功率功放音响配对管:2SA193...
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CSD17578Q3AT
TI
VSONP-8
无铅环保型
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大功率
型号:CSD17578Q3AT 深圳市腾桩电子有限公司,是电子元器件的国际分销商,代理分销TOSHIBA,IR,ST,ON,FAIRCHILD,TI,NXP,MAXIM-DALLAS,ADI,ALTERA,XILINX,MICROCHIP,品牌各种模拟器件...
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FDN338P
鹏领
SOT-23
无铅环保型
贴片式
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请新老顾客下单前先咨询客服。 封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216) 1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)FDN338P 电压:4V 6.3V 10V 16V 2...
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NTD15N06LT4G
JGSEMI/台湾金锆
TO-252
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深圳中元伟业经营世界厂家,MOS管/高频管/场效应管/变容管/电源IC,二三极管等SMD,产品主要应用于民用、工业、军事领域的通讯、网络、仪器仪表、电脑、电视、VCD/DVD、音响、IT等。...
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FDN306P
FAIRCHILD(飞兆)
SOT-3
无铅环保型
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迪蒙信源电子有限公司是一家的电子器件经销商,经营各类进口IC芯片,二三级管,电阻电容,拥有大量现货库存, 现已成为各中小企业、医疗器材生产企业、研究院、航天研究院、各大专院校、...
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TK100E10N1
Toshiba Semiconductor and Storage
TO-220-3
无铅环保型
直插式
管件
小功率
产品属性类型描述类别 分立半导体产品 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 制造商 Toshiba Semiconductor and Storage 系列 U-MOSVIII-H 包装 管件 产品状态 在售 FET 类型 N 通道 技术 MOS...
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BSB280N15NZ3
INFINEON(英飞凌)
WDSON-2-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
----- 致力于中小微客户提供全方位的现货供应链服务:请在线QQ联系或拨打电话联系下单快2小时发货 ,20000+型号,9000万+常备现...
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E3M0075120K
WOLFSPEED
TO-247-4
无铅环保型
通孔
管装
产品描述: 碳化硅场效应管(MOSFET)/E3M0075120K/ 全新原装现货品牌名称:WOLFSPEED商品型号:E3M0075120K商品封装:TO-247-4包装方式:管装商品毛重:6.5克(g)类型:1个N沟道漏源电...
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SI2305
CJ/长电
SOT23
无铅环保型
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大功率
SI2305 -20V P沟道增强型MOSFET特征SI2305先进的沟槽工艺技术超低导通电阻的高密度电池设计包装尺寸SOT23VDS=-20VRDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-2.8A ?笔记SI2305脉冲宽度受zui高结温限...
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IRF3007S
国际品牌
SMD/DIP
无铅环保型
SMD/DIP
单件包装
大功率
IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S IRF3007S 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际知名的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处...
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IPDH4N03LA-G
INFINEON(英飞凌)
SMD
普通型
直插式
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大功率
IPDH4N03LA-G 晶体管 Infineon 产品属性 IPDH4N03LA-G MOSFET 25V 90A TO252-3 制造商: Infineon 产品种类: MOSFET RoHS: 详细信息 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-...
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英飞凌InfineonIRF640NSTRLPBF
INFINEON(英飞凌)
D2PAK
无铅环保型
直插式
卷带编带包装
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NTB18N06LT4G
ON(安森美)
TO263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds O...
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IXFN80N50Q2
IXYS/艾赛斯
树脂封装
普通型
直插式
散装
大功率
IXFN24N100 IXFN34N100 IXFN36N100 IXFN73N30Q IXFN48N50Q IXFN27N80Q IXFN21N100Q IXFN66N50Q2 IXFN80N50Q2 IXFN70N60Q2 IXFN38N80Q2 IXFN50N80Q2 IXFN38N100Q2 MCC94-22io1B MCC94-...
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AOTF4S60
NA
SOP8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
中功率
AOTF4S60 一手货源 进口原装现货长期供应! 深圳市现代芯城互联网科技有限公司,是国际的电子元件混合型分销商,公司在香港、深圳、美国、德国等地设有仓库和客户服务办事处,专注于...
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AP1A003GMT
APEC/富鼎
QFN5x6
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深圳市汇莱威科技有限公司是国内首批斥巨资开发的电子元器件小批量采购电商之一。2017年拿到众山海润资产管理首轮天使投资,自营品牌:TI、ADI、XILINX、ALTERA/Intel汇聚中小企业殷...
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MMBT7002K
ST
SOT-23
无铅环保型
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深圳市明昇电子有限公司 本公司秉承“以质为本,以诚取信”为宗旨,深得广大客户、厂商的信赖。 主营:先科ST 全系列二三极管 SOD-123 SOD-323 SOD-523 SOT-23 LL-34 LL-41 DO-35 DO-...
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IPW60R037CSFD
INFINEON(英飞凌)
TO-247
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大功率
MOSFET
IPW60R037CSFD代理进口原装现货 IPW60R037CSFD代理进口原装现货,尽在-宇集芯电子 IPW60R037CSFDCoolMOS超结MOSFET是一款优化的器件,专门针对非车载电动汽车充电市场而设计。由于低...
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当前,汽车、工业、能源及数据中心等领域正积极开展下一代碳化硅功率 MOSFET 的设计与开发,对于无晶圆厂开发者而言,此时与能缩短产品上市时间的代工厂合作,无疑是最佳时机。 XbloX 宽禁带(WBG)半导体分立器件代工模式所采用的标准化独特模块配置,为...
全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装,非常适用于采用48V电源AI服务器的热插拔电路*2,以及需要电池保护的工业设备电源等应...
EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ三电平模块、EasyPACK? 2C 1200V 8mΩ四单元模块以及EasyPACK? 1C 1200V 13mΩ四单元模块,搭载第二代CoolSiC? MOSFET技术,集成NTC温度传感器,采用大电流PressFIT引脚,并预涂2.0代导热界面材料。 产品型号: ■ F4-13MXTR12C...
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用东芝最新一代工艺[1]U-MOS11-H制造的100V N沟道功率MOSFET“TPH2R70AR5”。该MOSFET主要面向开关电源等应用,适用于数据中心和通信基站使用的工业设备。产品于今日开始正式出货。 100V U-MOS...
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)宣布扩展其CoolSiC650 V G2系列MOSFET产品组合,新增75 mΩ规格型号,以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择,包括TOLL、Thin...
MOSFET自1960年由贝尔实验室发明以来,最初采用金属外壳的TO(Transistor Outline)封装,如TO-3和TO-92。这类封装以铜或铁镍合金为引线框架,通过环氧树脂密封,具备机械强度高、散热性能稳定的特点,能够耐受超过50G的机械冲击。MOSFET封装。 一、早期金...
功率 MOSFET 恐怕是工程师们最常用的器件之一了。然而,关于 MOSFET 的器件选型要考虑方方面面的因素,小到选 N 型还是 P 型、封装类型,大到 MOSFET 的耐压、导通电阻等。不同的应用需求千变万化,下面将详细总结 MOSFET 器件选型的三大核心法则,相信看完会...
在现代电子电路设计领域,MOSFET(金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管)凭借其卓越的性能和广泛的应用,成为了不可或缺的关键器件。然而,MOSFET 中的噪声问题却对电路的性能和稳定性产生着重要影响,尤其在无线通信等对噪声要求极为严格的领域。因此,深入...
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的导通条件取决于其类型(N沟道或P沟道)和工作模式(增强型或耗尽型)。以下是详细分析:1. 基本导通条件(1) N沟道MOSFET(NMOS)增强型(常闭型):栅源电压 VGSVGS > 阈值电压 VthVth(正电压)。漏源电压 VDSVD...
在欧盟 2035 年零排放目标等一系列雄心勃勃的计划推动下,全球范围内从化石燃料向电动汽车(EV)的转型正在以前所未有的速度加速进行。为了在市场中吸引消费者,电动汽车必须具备足够的续航里程,支持快速充电,同时还要保证价格经济实惠。在这一变革进程中,...
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