Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。该硅吸收器设计用于直流链路，最高可达1000伏直流，峰值可达1200伏，击穿额定值将超过1500伏。据公司介绍，它们“在电压超过150伏时保持恒定电容，并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具体生产
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全硅 RC 缓冲器 碳化硅 MOSFET 电压瞬变抑制
在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。目前大多数IGBT 模块允许工作的温湿度以及气候条件遵循IEC60721-3-3规定,为使客户更加了解IGBT 的使用环境条件，本文主要介绍温度以及湿度运行条件。IEC 60721-3-3标准把气候条件分成5类:3K20:温度湿度连续可控，而且经常有人维护，比如用于室内产品。3K21:温度可控，湿度不连续可控。 比如机房，数据中
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英飞凌 IGBT
陶氏公司的目标是使用其最新的硅凝胶来开发 IGBT 模块，以支持 800V 车辆和可再生能源高达 180°C 的运行温度。“在光伏电池板和风力涡轮机中，逆变器的功率密度正在增加，”该公司表示。“由于第 7 代 IGBT 技术的结温更高，电压更高，电气负载更大，硅凝胶需要具有强大的介电性能和增强的耐热性。”EG-4175 是一种材料，在使用前由等量的两种粘度匹配的前体混合。它无需单独的底漆即可自吸以实现粘合，并在室温下固化——尽管可以使用热量来加速固化。陶氏声称，在使用中，“该材料可以吸收振动并具有自愈特性
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gen-7 IGBT 模块 硅凝胶 陶氏
当传统微波炉还在依赖笨重的工频变压器时，TRinno的IGBT单管与现代ABOV单片机的协同创新，正推动厨房电器进入精准控能时代。这套双核驱动方案通过半导体技术替代机械结构，不仅让微波炉体积缩小40%，更实现了从毫秒级功率调节到智能烹饪程序跃迁，彻底重构了家用加热设备的技术底层。一、能量转换革命：磁控管驱动的进化之路传统方案的物理瓶颈过去四十年的微波炉依赖电磁感应原理——220V交流电通过重量超过3公斤的工频变压器升压，再经整流二极管转换为3000V直流电驱动磁控管。这套体系存在三重技术枷锁：能效黑洞：铁
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IGBT 单片机
随着全球对能源可持续性与安全性的关注升温，住宅太阳能储能系统需求持续攀升。当前市场上，2kW级微型逆变器已实现集成储能功能，而更高功率场景则需依赖串式逆变器或混合串式逆变器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器设计，探讨其技术优势与核心设计要点，为住宅太阳能应用提供高能效、高密度的解决方案参考。混合串式逆变器架构：从模块到系统典型的混合串式逆变器通过稳压直流母线互联各功能模块（图1），核心子系统包括：●单向DC/DC转换器：执行光伏最大功率点跟踪（MPPT），优化能量捕获；●双向DC/
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TI IGBT GaN 串式逆变器
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、供暖、通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。该技术与标准CMOS处理兼容，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。图 1.分立 SSI 中使
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固态隔离器 MOSFET IGBT 优化SSR
随着纯电动汽车（BEV）和插电式混合动力电动汽车（PHEV）销量的快速增长，电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年，电动汽车的生产比例将实现两位数增长，从2024年的20%增长至45%左右[1]。为满足对高压汽车IGBT芯片日益增长的需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出新一代产品，包括为400 V和800 V系统设计的 EDT3（第三代电力传动系统）芯片，以及为 800 V 系统量身定制的RC-IGBT&nbs
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英飞凌 IGBT RC-IGBT
关键要点BM6337xS系列 配备了可监控LVIC（Low Side Gate Driver）温度的热关断电路，当LVIC的 T j 达到规定温度以上时，热关断电路将启动，会关断下桥臂各相的IGBT，并输出FO信号。在TSD已启动的情况下，由于IGBT的 T j 已超过150°C的绝对最大额定值，因此需要更换IPM。该功能监控的 T j 为LVIC芯片的 T j ，无法跟上IG
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罗姆半导体 IGBT IPM 热关断保护
这是一个用于测试 2.5 kW 功率因数校正 (PFC) 电路的平台。它旨在评估使用 4 脚封装的优势。 例如提高效率和信号质量，并展示了包括 PFC 控制器、MOSFET 驱动器和碳化硅二极管在内的完整 Infineon 解决方案。 文件中提供了关于如何使用该评估板、CoolMOS™ C7 MOSFET 的性能表现以及四脚封装的优势的信息，目标读者是经验丰富的电源电子工程师和技术人员。 • 评估板的目的与组成 ◦ 此评估板旨在评估TO-247 4针 CoolMOS
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英飞凌 ICE3PCS01G IGBT 空调电源
在消费电子市场高速发展的当下，IGBT（绝缘栅双极晶体管）已成为现代家电设备中不可或缺的核心器件。凭借其优异的开关特性、低导通损耗及出色的热管理能力，IGBT技术正持续推动家电产品能效升级。安世半导体推出的650 V G3 IGBT平台产品，通过性能优化与可靠性提升，为家电设备的高效化、节能化发展提供了关键解决方案。本文将聚焦家电设备的三大核心应用场景——电机拖动、PFC（功率因数校正）电路及感应加热，深入解析安世半导体650 V G3 IGBT平台的技术优势及其在家电领域的实际应用价值。1. 电机拖动1
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安世半导体 IGBT
大家好，我是蜗牛兄，今天给大家分享的是：IGBT（绝缘栅双极型晶体管)在实际应用中最流行和最常见的电子元器件是双极结型晶体管 BJT 和 MOS管。IGBT实物图+电路符号图你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高的工作电压和更低的 MOS 管输入损耗。一、什么是IGBT？IGBT 是绝缘栅双
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IGBT 功率半导体
英飞凌在此发布TRENCHSTOP™ IGBT7 EconoDUAL™ 3系列产品拓展，带焊接针和带预涂导热材料版本(TIM)。产品型号：■ FF900R12ME7■ FF600R12ME7■ FF450R12ME7■ FF900R12ME7W■ FF750R17ME7DP_B11产品特点■ TRENCHSTOP™ IGBT7■ 最高功率密度■ Tvj op=175°C过载■ 集成NTC温度传感器■ 绝缘基板应用价值■ 相同尺寸下输出电流更大■ 避免并联I
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英飞凌 IGBT
关键要点・FO引脚为错误输出功能引脚，用于向外部通知内置保护功能的启动情况，并会为自我保护而关断下桥臂各相的IGBT。・FO输出功能的信号输出时间因已启动的保护功能类型而异，因此可以判别已启动了哪种保护功能。这是本机型产品所具备的功能。・FO引脚的输入功能，通过在FO引脚上连接RC并调整时间常数，可以扩展下桥臂各相IGBT的关断时间。・当FO输出经由隔离器件输入至MCU时，在输出时间隔离器件的传输延迟时间比FO输出的L电平最短时间要长时，需要根据延迟情况来扩展FO输出时间时，可使用该功能。本文将介绍“保护
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罗姆半导体 IGBT
IGBT是一种功率开关晶体管，结合了MOSFET和BJT的优点，用于电源和电机控制电路。绝缘栅双极型晶体管（简称IGBT）是传统双极结型晶体管（BJT）和场效应晶体管（MOSFET）的交叉产物，使其成为理想的半导体开关器件。IGBT晶体管结合了这两种常见晶体管的最佳部分，即MOSFET的高输入阻抗和高开关速度以及双极晶体管的低饱和电压，并将它们结合在一起，产生另一种类型的晶体管开关器件，能够处理大的集电极-发射极电流，而几乎不需要门极电流驱动。典型绝缘栅双极型晶体管 典型IGBT绝缘栅双极型晶体
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绝缘栅双极型晶体管，IGBT
上回书(英飞凌芯片简史 https://www.eepw.com.cn/article/202502/467026.htm)说到，IGBT自面世以来，历经数代技术更迭，标志性的技术包括平面栅+NPT结构的IGBT2，沟槽栅+场截止结构的IGBT3和IGBT4，表面覆铜及铜绑定线的IGBT5等。现今，英飞凌IGBT芯片的“当家掌门”已由IGBT7接任。IGBT7采用微沟槽（micro pattern trench）技术，沟道密度更高，元胞间距也经过精心设计，并且优化了寄生电容参数，从而实现极低的导通压降和优
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IGBT 电力电子
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