S32G2 QSPI串行NOR微米闪存扇区擦除命令的问题如何解决？

我对从 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 闪存感到头疼。
该板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP Realtime-Driver Package SW32G_RTD_4.4_3.0.2_HF01 运行经典的 AUTOSAR 堆栈（但与更高版本的差异不是很大），配置了 Tresos 工具。
对于 Fls 驱动程序配置，我从恩智浦在“Integration_Reference_Examples_S32G2_2022_06”包中提供的 RDB2 示例配置开始，并从那里
修改它以使其适合 Micron MT35XU512ABA。
- otcal DDR 模式
- 寄存器读取、数据读取和页面编程/写入工作成功
问题：扇区擦除不起作用
我是 QSPI 闪存的新手，从一个例子跳到另一个例子。我仍然不明白是否为擦除 LUT 序列发送 1 个或 2 个 CMD 字节：
- Micron 数据表表明没有 CD 字节和 4 个地址字节，仅此而已。
- 我在其他文档（例如来自 NXP 网站的 S32G_QSPINOR_定制_20211125_V3.pdf）中看到人们在八进制 DDR 模式下使用 2 个 CMD 字节，其中一个是规范中的常用 CMD 代码，第二个字节是第一个的副本，或位反转值。我没有阅读任何规范，但背景是什么。
我看到了什么效果：
(1) 当我提供 1 cmd 代码加地址时
8-8-0
指令 = CMD_DDR，操作码 = 0xdc（擦除 128 kB 扇区）
指令 = ADDRESS_DDR，操作码 = 0x20（4 字节）
结果：无论是 QSPI IP SR.BUSY 标志还是闪存内部状态忙碌标志都没有在明显的持续时间内被阻塞，任何涉及的 RealtimeDriver API 均未返回错误，但扇区未被擦除。
最后 Qspi_Ip_EraseVerify() 失败（因为闪存内容不等于闪存擦除值）-> 扇区擦除不成功
(2) 当我提供 2 个命令加上地址
8-8-0
指令 = CMD_DDR，操作码 = 0xdc（擦除扇区）
指令 = CMD_DDR，操作码 = 0x23（0xdc 的位反转版本）
指令 = ADDRESS_DDR，操作码 = 0x20（4 字节） )
或
8-8-0
指令 = CMD_DDR，操作码 = 0xdc（擦除扇区）
指令 = CMD_DDR，操作码 = 0xdc（重复擦除扇区）
指令 = ADDRESS_DDR，操作码 = 0x20（4 字节）
结果：在将 LUT 序列从 QWSPI 控制器提交到闪存后，S32G2 QSPI 控制器的 SR.BUSY 标志被设置，并且 REMAINS 设置了很长时间。
（实际上大约 2 秒钟，直到我的软件挂断，因为这个过程花费的时间太长了）。
QSPI 控制器的 SR.AITF 位也被设置。
然而，在下一次上电复位后，我看到扇区实际上被成功擦除。
我有点迷茫，有以下问题：
a) 在 otcal DDR 模式下这些 1 字节或 2 字节的命令是什么？是否有我在某些文档中遗漏的一般规则？在 Micron 数据表中，我找不到
任何提示提交 2 个字节的 CMD 指令，命令表只列出了 1 个字节的命令。
b) S32G2 QSPI 控制器中的 SR.BUSY 标志：什么时候应该重置？
S32G2 参考手册第 38.6.2.6 章说：
“交易完成后（所有与外部串行闪存设备的发送和接收操作都已
完成），模块重置 SR[BUSY]。在 IP 命令的情况下，FR [TFF] 被断言。”
由于擦除序列不期望返回数据，我知道 SR.BUSY 位应该在将命令传输到闪存后重置，这应该在纳秒内完成。
（而不是等待闪存内的实际扇区擦除完成）。
c) 最后：我的擦除序列有什么问题？
看起来 2 字节序列是更好的方向，但我真的必须等待 SR.BUSY 标志直到扇区被擦除......？