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FDT434P

更新时间:2025-07-05 13:13:54
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FDT434P外观图

FDT434P

Fairchild Semiconductor FET - 单

MOSFET P-CH 20V 6A SOT-223

  • 封装:TO-261-4，TO-261AA
FDT434P 规格参数
  • 产品培训模块
    High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    PowerTrench®
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    50 毫欧 @ 6A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    19nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1187pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.1W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    TO-261-4，TO-261AA
  • 供应商设备封装
    SOT-223-3
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    FDT434P-ND
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