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FDSU16862

更新时间:2025-07-07 10:20:01

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FDSU16862 概述

FDSU16862是由Fairchild Semiconductor（现已被ON Semiconductor收购）生产的一款N沟道MOSFET。该器件采用先进的PowerTrench工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种功率管理应用。此MOSFET的最大漏源电压Vds为30V，最大连续漏极电流Id为4.9A（在25°C条件下）。它被广泛应用于负载开关、电源管理和电池保护电路中，尤其适合于需要高效能和紧凑设计的便携式设备如智能手机和平板电脑等。其小型封装（例如SOT-23）有助于节省PCB空间，提高整体电路集成度。在实际应用中，建议注意栅极驱动电压的选择以确保MOSFET能够完全开启；同时，在布局PCB时应尽量缩短源极与栅极之间的走线长度以减少寄生电感对开关性能的影响。对于高频应用场合，还应注意选择合适的栅极电阻来优化开关速度和EMI表现。

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