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兆芯协同联想开天，P9z G1t双路工作站筑牢信创专业应用硬件根基
随着信创产业向深度应用升级，专业场景对自主可控、高性能计算硬件需求迫切。作为兆芯核心产业伙伴，联想开天依托其处理器平台，构建了多元产品矩阵，并推出P9z G1t信创旗舰双路工作站。该工作站搭载双路开胜KH-40000/12处理器（24核2.5GHz），拥有1TB最大内存、9盘位存储，搭配47L全扩展机箱与6个P...
联想开天P9z G1t 兆芯 处理器
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智能GaN降压控制器设计——第2部分：配置和优化
在高效能电源设计中，死区时间的精准控制是平衡效率与可靠性的关键。传统方案依赖固定的控制器延迟或繁琐的外部调整，不仅调试耗时，更难以适配不同GaN FET的动态特性，潜藏着过驱损坏的风险。本文将深入智能GaN降压控制器设计的核心环节，聚焦于其先进的配置与优化策略。通过阐述如何精确测量并协...
智能GaN降压控制器 死区时间 GaN FET 驱动 电源设计 氮化镓
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线性稳压器的电压输入至输出控制——第一部分：快速入门和优势
在复杂的电子系统设计中，电源管理单元的效能与可靠性直接决定了整体性能的边界。其中，实现从输入电压到输出电压的精准、高效与稳定控制，是工程师面临的核心挑战之一。本文将聚焦于一种先进的解决方案——电压输入至输出控制（VIOC）系统。该系统巧妙融合了具备VIOC特性的低压差线性稳压器（LDO）与...
线性稳压器 电压输入 输出控制 VIOC LDO 稳压器 电源管理系统
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智能GaN降压控制器设计——第1部分：考虑因素和测量方法
同步转换器的工作原理是交替切换控制开关和同步开关器件（通常是FET）的通断状态。时序的微小偏差，在纳秒尺度上便会引发两难困境：若两个开关管导通切换的间隙（死区时间）过长，系统效率会因GaN器件特有的高反向导通压损而大幅下降；若此间隙过短，则可能发生致命的“直通”现象，导致电流直冲、器...
智能GaN降压控制器 自适应死区时间控制 GaN FET驱动 同步降压转换器 AI服务器供电
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从IP到Chiplet：奎芯ONFI接口技术的创新与突破
ONFI作为闪存控制器与NAND颗粒的关键接口协议，其技术水平直接决定存储系统竞争力。奎芯科技深耕ONFI IP领域，以领先技术规格、全场景工艺覆盖及Chiplet架构战略布局构建核心优势，下文将围绕其价值、技术亮点、生态能力及战略规划，展现奎芯在高速存储接口领域的硬核实力，为多领域应用提供核心支撑。
奎芯科技 存储接口 存算一体 SSD SoC
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算力与实时性双突破！兆易创新发布GD32H7系列MCU，覆盖更广泛高性能应用
在工业自动化、数字能源及高端智能设备对实时控制与强大算力需求日益增长的背景下，国内MCU领军企业兆易创新（GigaDevice）宣布推出其新一代高性能微控制器产品线——GD32H7系列。该系列基于Arm® Cortex®-M7内核，主频提升至750MHz，并创新性地配备了640KB可与CPU同频运行的紧耦合内存，旨在突破传统M...
兆易创新 GD32H7 MCU 微控制器 便携电子 智能家居
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一文读懂基于ADI方案的2型充电桩IC-CPD开发指南
在设计与开发符合国际规范的2型交流充电桩（EVSE）时，工程师不仅需要深入理解IEC 61851-1与IEC 62752等核心标准，更面临着如何高效实现车辆连接、安全控制与可靠通信的工程挑战。本文将以ADI（亚德诺半导体）提供的最新参考设计为实践蓝图，系统阐述充电桩内部线缆控制与保护器件（IC-CPD）的软硬...
IC-CPD设计 线缆内置控制 保护器件 软硬件 充电状态 电动汽车供电设备
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特瑞仕半导体株式会社发布耐浪涌电流强的肖特基势垒二极管
特瑞仕半导体株式会社（东京都东京都江东区，代表董事：木村岳史，以下简称特瑞仕）开发了具备优异耐浪涌电流与浪涌冲击能力的 650V SiC 肖特基势垒二极管 “XBSC41 / XBSC42 / XBSC43 系列”。
特瑞仕半导体株式会社
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契合新国标：充电桩直流漏电防护的 B 型技术应用
2025年我国新能源车渗透率首次突破50%，11月更是攀升至59.5%，标志着新能源车已成为市场主流。伴随这一趋势，补能系统持续完善，全国高速公路服务区充电桩覆盖率超98%，截至2025年11月充电基础设施（枪）总数达1932.2万个。但充电桩安全问题备受业界关注，传统漏电保护器无法检测直流漏电，B型漏电...
B 型漏电检测技术 零序互感器 新能源车 充电桩
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