4键电容式触摸芯片-防水+强抗干扰-灵敏度可调
GT304L 是一款电容式触摸传感器，提供4路独立触摸检测，集成 GreenTouch? 抗干扰引擎，支持 LED PWM 调光（32 级）和 I2C/直接输出接口，提供14-pin SOP或16-p
MLCC，成长最快的10家企业
MLCC作为用量最大、应用最广的被动元件，被誉为“电子工业大米”，在电路中承担电荷存储的核心功能，覆盖新能源汽车、消费电子、通信基站等多元领域。 MLCC产业链各环节价值量拆解 上游材料（60%-70
SS8844T：高性能四通道1/2H桥电机驱动器
SS8844T是一款四通道独立控制的1/2H桥电机驱动器，内置N沟道功率MOSFET，可用于驱动两台直流电机、一台步进电机或四个螺线管等感性负载，其灵活的拓扑结构和小型化封装，该芯片可pin-to-p
30V-1000V全电压MOS管选型指南，功率MOS解决方案
在功率半导体领域，MOS管作为电源转换与管理的核心器件，凭借其?电压控制?和?高输入阻抗?的特性，在电子电路中扮演着多重关键角色，其性能直接影响系统效率与稳定性，工采网代理的MOS管覆盖从低压30V到
【聚焦】一体成型电感市场空间持续扩展 我国布局企业众多
一体成型电感在众多领域拥有广阔应用前景，主要包括机器人制造、航空航天、信号处理、消费电子、新能源汽车以及国防军工等。 一体成型电感，是一种功率电感，主要采用一体成型工艺制成。一体成型电感具备磁屏蔽能力
1.8A/12V单通道H桥电机驱动器-SS8837T
SS8837T是一款单通道H桥电机驱动器，由 N 沟道功率 MOSFET 组成，其电机电源电压（VM）范围为 0~12V，逻辑电源电压（VCC）范围为 1.8~12V，支持 1.8A 的峰值输出电流，
深度丨AI时代，电力系统正在向800V过渡，MLCC需求激增
前言： 当算力需求从千瓦级跃升到兆瓦级，当GPU从8颗增加到72颗甚至576颗，当供电电压从12V演进到54V、400V、800V...... 每一个环节的变化，都在对MLCC提出更高的数量要求和更严
带模拟调光功能的交流直驱LED交流电源直接驱动器-WD15-S30A
LED交流电源直接驱动器（即AC/DC恒流驱动器）的核心工作原理是将?交流市电转换为适合LED工作的稳定直流恒流源?，主要涉及将交流电（AC）或直流电（DC）转换为稳定的直流电（DC），并控制电流和电
Wolfspeed SiC MOSFET的正面散热设计：不只是“温度问题”
芝能智芯出品 碳化硅（SiC）MOSFET在车载电驱、充电、光伏、储能等系统中快速铺开，最直观的变化是：开关频率更高了，效率更好了，体积也可以做得更小。 在工程落地中，热开始“卡系统”了。原来用硅器件
SS6810H-32V/1.0A双路H桥步进电机驱动芯片
由工采网代理的SS6810H是一款内置双路H桥驱动器的电机驱动芯片，采用PWM电流整流技术，支持32V/1.0A的输出能力，PARA-IN驱动接口，集成可配置的电流衰减模式（快衰减、慢衰减、混合衰减）
日本功率半导体“复仇记”
最近，罗姆、东芝、三菱电机围绕功率半导体相关业务签署备忘录，启动业务与经营整合讨论。如果交易达成，合并后新实体的全球市场份额将达到约10%，从而形成一个全球第二大联盟，仅次于英飞凌。 按照公告，这并不
芯片巨头行业第二，单季利润暴跌75%，现金流几乎归零
2025年中国的芯片产量已经突破4843亿块，平均每天生产13.3亿颗；出口量达到3495亿个，日均出口9.6亿颗，出口金额14442亿元，同比上涨27.4%。 即便不算台积电，内地芯片产能也已经接近
紧凑型SiC模块：高功率密度车载充电器的新选择
芝能智芯出品 在电动化不断加速的当下，车载充电器（OBC）的性能已成为影响电动车续航体验与能源利用效率的关键因素。 传统基于分立器件的设计在提升功率密度和缩小体积方面已接近极限，新的功率模块化方案因而
内置DSP数字闭环功放芯片NTP8849 PintoPin替代TI的TAS5805
数字功放芯片 - NTP8849在家庭影院中有突出表现，是一款单片全数字芯片，拥有高性能高保真全数字PWM调制器和大功率，全数字闭环拓扑的功率舞台提供了详细的系统稳定性即使在PVDD在波动，同时带有闭
国产半导体功率器件企业市值TOP 10 | 8月最新
“国产替代”浪潮席卷半导体产业腹地，功率器件作为电能转换的核心元件，其战略价值正被市场重新审视与定价。 伴随新能源汽车、光伏储能等下游需求持续爆发，叠加国家政策强力支持，资本正以前所未有的热情押注这条
Cadence 携手 NVIDIA 革新功耗分析技术， 加速开发十亿门级 AI 设计
中国上海，2025 年 8?月 20?日 ——?楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布，通过与 NVIDIA 的紧密合作，公司在硅前设计功耗分析方面取得重大飞跃。借助
一款功率输出模块由N型功率MOSFET组成的H桥电流控制驱动器
N型功率MOSFET（N沟道增强型功率MOSFET）的工作原理基于金属-氧化物-半导体结构，通过栅极电压控制源极与漏极之间的导电沟道形成与消失，实现电流的导通与截止。 当栅极电压为零时，漏源极间加正电
工业充电器拓扑结构选型基础知识：隔离式DC-DC功率级的选择
碳化硅（SiC）功率开关器件正成为工业电池领域一种广受欢迎的选择，因其能够实现更快的开关速度和更优异的低损耗工作，从而在不妥协性能的前提下提高功率密度。此外，SiC还支持 IGBT技术无法实现的新型功
应用在条形音箱音效功能中的模拟D类音频放大器-IML6603
条形音箱主要通过以下两种核心技术实现音效增强： 虚拟环绕声技术：通过内置多个扬声器单元（通常为2-7个），芯片控制各单元发声顺序，利用人耳对声音时序的感知差异，模拟出环绕声效果。例如，当播放赛车场景时
芯片的失效性分析与应对方法
芝能智芯出品 在汽车、数据中心和人工智能等关键领域，半导体芯片的可靠性成为系统稳定运行的核心要素。随着技术发展，芯片面临着更为复杂的使用环境与性能需求，其失效问题愈发凸显。 接着昨天的文章，本文将
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