八年追芯路:长鑫跻身全球DRAM前四
当光刻机这条路被卡住,中国走出了一条封装的路。
这篇要说的,是另一个卡脖子的地方,比光刻机更低调,但同样要命。
它叫DRAM——内存。
① 算力的瓶颈,不一定是算力本身
AI芯片这几年被讨论得很多。舆论的焦点往往是芯片的算力有多强——跑分多少、参数规模多大、训练速度多快。
但真正的瓶颈,有时候不在算力本身。
打个比方,GPU是一台超级跑车,DRAM就是它的供油管道。管道不够宽,跑车再猛也跑不快。所以,AI芯片处理数据的速度再快,如果内存带宽跟不上,数据送不进去,芯片只能空等。
在AI时代,算力竞争的本质,不只是谁的芯片跑分高,还包括谁的内存带宽够宽、够快、够多。
而内存,就是DRAM的主战场。
② DRAM是什么?
DRAM的学名是动态随机存取存储器。
听起来拗口,但它其实是无处不在的。手机的运行内存、电脑的内存条、服务器的数据缓存,用的都是DRAM。它的特点是非常非常快。CPU要处理什么数据,就从DRAM里取,处理完了,数据继续放在DRAM里待命。不过它也有个缺点:断电清零,所以被叫做临时仓库。
DRAM的结构并不复杂,每个存储单元只有一个电容加一个晶体管。但难点就在于,要在指甲盖大小的芯片上,塞进去上百亿个这样的单元,并且每个都要稳定运行,不能出错。
打个更夸张的比方,如果把一个存储单元放大到一间教室那么大,那么每个电容可能只有米粒大小,而几十亿个“米粒”要同时稳定工作,不能有一个短路或漏电。
精密到这个程度,才叫DRAM。
③ 三巨头三十年打下的壁垒
全球DRAM市场,多年来只有三个玩家:三星、SK海力士、美光。
这三家公司吃掉了全球约九成的份额,剩下大约一成留给其他所有人。
为什么只有三家?
不是因为别人不想做,而是太难进去了。
三星从1980年代就开始砸钱,每一代制程的进步,都是用真金白银和无数次失败堆出来的。专利壁垒也是一座山,三巨头手里攥着大量DRAM核心专利,后来者绕不开就要交专利费,绕得过就是抄捷径,随时可能被告。
所以,这不是一个花钱买设备建产线就能追上的行业,后来者要把三十年的坑一并补上。
中国一直没有自己的DRAM。
以往每年进口芯片超过3000亿美元,存储芯片是大头之一,手机厂、电脑厂、服务器厂,全靠进口。价格涨了,只能跟着涨;被卡断货,也只能干等。
这个局面,直到长鑫出现之后,才开始有了改变。
④ 长鑫是怎么挤进这道门的
长鑫科技成立于2016年,创始人朱一明是兆易创新的创始人,兆易创新是A股上市的Nor Flash公司,专注存储赛道多年。
2017年,合肥国资找上门。合肥出资金、给政策、建配套;长鑫出技术、组团队。这种“政府引导+市场化运作”的模式,后来成了中国半导体追赶的经典范本。
2019年,长鑫量产了第一颗DDR4芯片。
这是一件说起来平淡、做起来极难的事。
不只是技术难,而是因为长鑫走的是基本上自主的技术路线,从零开始建立自己的研发体系,逐步构建核心专利壁垒。正是因为有了这第一颗DDR4芯片,才有了后来的迭代、扩产、追赶。
之后的几年,长鑫的产品线一路狂奔:19nm、17nm、1Xnm……从DDR4拓展到LPDDR5、DDR5,基本覆盖了主流市场。
到2025年,转折点来了。
营收达到数百亿量级。市场份额从接近于零,做到全球第四,占比约8%。小米、荣耀、腾讯云、字节跳动,都开始用长鑫的货。
一张进场券,总算拿到了。
⑤ HBM,AI时代的“高速公路”
如果长鑫的故事止步于“追赶三巨头、拿到全球第四”,那它只是一个成功的国产替代案例。
所以我们要说说HBM。
HBM,高带宽存储器,是AI芯片时代的核心基础设施。
如果说普通DRAM是公路,HBM就是高速公路——带宽更宽、延迟更低、功耗更省。英伟达H100、H200为什么能跑千亿参数的大模型?关键之一就是靠HBM提供的高速数据吞吐。
目前的HBM市场,被SK海力士、三星、美光三家牢牢把控。SK海力士是英伟达的主要供应商,拿下约六成份额;三星和美光各占两成左右,三家合计几乎吃掉了全部市场。
那么,长鑫和HBM的距离有多远?
2025年底,长鑫向部分客户交付了HBM3工程样品。这是长鑫第一次正式触碰HBM门槛——样品阶段,不是量产,但已经是真实技术进展的信号。
样品能做出来,意味着技术路径是通的。
从样品到量产,这条路仍然不短。但如果走通,整个故事就会完全不一样。
⑥ 为什么HBM比DRAM更紧迫
中国的AI芯片需求,正在爆发式增长。
华为昇腾、国内各家AI推理芯片,都需要大量HBM。但三星、SK海力士在美国出口管制的压力下,向中国供应HBM受限。
这个缺口,目前没有人填得上。
如果长鑫能把HBM3量产,它就不只是“DDR5的国产替代”,而是真正切入了AI算力供应链的核心节点。
从一个国产存储厂商,变成中国AI算力体系里不可或缺的零件。
这两个角色,估值逻辑是完全不同的两回事。届时能不能做到稳定出货、达到商用良率,才是真正的考验。
⑦ 差距仍在:制程、良率、产能
说亮点,也要说差距。这件事咱也实话实说。
制程上,长鑫目前量产的最新工艺是1Xnm(16-19nm)范围内,三星已经进入1βnm(10-12nm)节点。差距大概是一到两代。
良率上,从工程样品到稳定量产,还有一堵很厚的墙。长鑫HBM样品良率目前仍与三巨头存在差距,这是客观现实。
这的确不是一朝一夕能追上的差距,但我更认为这是个好消息。因为三巨头花了三十年,长鑫用了不到十年走到这里,节奏已经比大多数人预期的要快。
⑧ 没有备选,就永远是乙方
说到底,长鑫的价值,不仅仅是它的产品有多先进。
中国一年进口芯片超过3000亿美元,存储是大头。没有自己的DRAM,就意味着手机厂、服务器厂、AI芯片公司在供应链谈判时永远是乙方——价格、交期、优先级,全都是别人说了算。
有了长鑫,这个格局就变了。
不是说长鑫一定比三星强,也不是说三巨头的货不需要了。而是因为现在有了第二个选择,所以整个供应链的议价权就不一样了。
这种价值,任何一个做过供应链的人都懂它的分量。
而对于HBM这个卡口,长鑫是这一赛道里,目前走得最靠前的中国选手。
这场追赶远未结束,但它已经在路上了,这才是最重要的事。
原文标题 : 八年追芯路:长鑫跻身全球DRAM前四
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