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  • NTGS3433T1G的技术参数

    产品型号:ntgs3433t1g源漏极间雪崩电压vbr(v):12源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):75最大漏极电流id(on)(a):3.300通道极性:p封装/温度(℃):tsop-6/-55~150描述:12v,3.3a,p沟道mosfet价格/1片(套):暂无 来源:xiangxueqin

  • NTGS3433T1G的技术参数

    产品型号:NTGS3433T1G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):12
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):75
    最大漏极电流Id(on)(A):3.300
    通道极性:P
    封装/温度(℃):TSOP-6/-55~150
    描述:12V,3.3A,P沟道MOSFET
    价格/1片(套):暂无


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ntgs3433t1g替代型号

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