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mmsf7p03hdr2g中文资料

  • MMSF7P03HDR2G的技术参数

    产品型号:mmsf7p03hdr2g源漏极间雪崩电压vbr(v):30源漏极最大导通电阻rds(on)(mω):35最大漏极电流id(on)(a):7通道极性:p沟道封装/温度(℃):so-8/-55~150描述:7a,30v,so-8,p沟道功率mosfet价格/1片(套):￥6.00 来源:xiangxueqin

  • MMSF7P03HDR2G的技术参数

    产品型号:MMSF7P03HDR2G
    源漏极间雪崩电压VBR(V):30
    源漏极最大导通电阻rDS(on)(mΩ):35
    最大漏极电流Id(on)(A):7
    通道极性:P沟道
    封装/温度(℃):SO-8/-55~150
    描述:7A,30V,SO-8,P沟道功率MOSFET
    价格/1片(套):￥6.00

mmsf7p03hdr2g替代型号

MMSF3P02HDR2G MMSD914T3 MMSD914T1G MMSD71RKT1G MMSD701T1G MMSD4148T1G MMSD4148T1 MMSD4148 MMSD301T1G MMSD103T1G

MMSZ10ET1G MMSZ10T1G MMSZ11T1G MMSZ12ET1G MMSZ12T1G MMSZ12T3G MMSZ13T1G MMSZ15 MMSZ15T1G MMSZ16T1G

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