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相关电路图

产品培训模块:
High Voltage Switches for Power Processing
标准包装:
2,000
类别:
分离式半导体产品
家庭:
JFET（结点场效应
系列:
-
电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):
900µA @ 20V
漏极至源极电压(Vdss):
-
漏极电流 (Id) - 最大:
-
FET 型:
N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):
40V
电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:
800mV @ 10nA
输入电容 (Ciss) @ Vds:
-
电阻 - RDS（开）:
-
安装类型:
通孔
包装:
散装
封装/外壳:
TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装:
TO-92-3
功率 - 最大:
625mW

0-360°相移器
每个j202 jfet级提供高达180°相移，由1兆欧的电位计控制。电位计组进行全方位控制。jfets是指定电路的理想选择，因为它们不负载相移网络。来源:ruanjuqingsi

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产品培训模块:

标准包装:

类别:

家庭:

系列:

电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0):

漏极至源极电压(Vdss):

漏极电流 (Id) - 最大:

FET 型:

电压 - 击穿 (V(BR)GSS):

电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

电阻 - RDS（开）:

安装类型:

包装:

封装/外壳:

供应商设备封装:

功率 - 最大:

0-360°相移器

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漏极至源极电压(Vdss):

漏极电流 (Id) - 最大:

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电压 - 击穿 (V(BR)GSS):

电压 - 切断 (VGS 关）@ Id:

输入电容 (Ciss) @ Vds:

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安装类型:

包装:

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