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IRLR7833 Power MOSFET IRF IRLR7833PDF下载
IRLR7833 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK IRLR7833PDF下载
IRLR7833 Power MOSFET IRF [International Rectifier] IRLR7833PDF下载
IRLR7833PBF HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , R... IRF [International Rectifier] IRLR7833PBFPDF下载
IRLR7833TRL Power Field-Effect Transistor, 30A I... IRF IRLR7833TRLPDF下载
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型号厂家封装批号数量日期价格
IRLR7833 IR TO252 04+ 2007/12/25 0:00:00 0.7000/pcs
IRLR7833 IR D-PAK 05+(PB-FRE 2007/12/25 0:00:00 0.8000/pcs
IRLR7833 IR TO-252 07+ 10000 2010/7/12 16:21:57 0.9000/pcs
IRLR7833 ir 252 08+PB 10000 2010/7/12 17:33:04 0.9500/pcs
IRLR7833 IR TO-252 08+ 5500 2010/7/12 17:54:56 1.0000/pcs
IRLR7833 IR TO-252 07+ 2007/12/25 0:00:00 1.0000/pcs
IRLR7833 IR 06+ D-PAK 2007/12/25 0:00:00 1.0000/pcs
IRLR7833 IR D-PAK 06+ 2007/12/25 0:00:00 1.0000/pcs
IRLR7833 IR D-PAK 07+ 2000 2008/3/15 0:00:00 1.2000/pcs
IRLR7833 IR TO-252 06+ 2007/5/26 0:00:00 1.2000/pcs

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标准包装:
75
类别:
分离式半导体产品
家庭:
FET - 单
系列:
HEXFET®
FET 型:
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点:
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:
140A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:
4.5 毫欧 @ 15A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）:
2.3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:
50nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:
4010pF @ 15V
功率 - 最大:
140W
安装类型:
表面贴装
封装/外壳:
TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装:
D-Pak
包装:
管件
其它名称:
*IRLR7833

倍流同步整流在DC/DC变换器中工作原理分析
断地减小，所以，总的负载电流是减小的。在模式4[t3－t4]后，接着就进入下一个周期。 3 实验及结果在前面分析的拓扑基础上，完成了一个输入为dc 36v，输出为1v/25a的dc/dc变换器。这个电路中所用到的参数见表1所列，其中所有的参数和图1的主电路中所标注的是相对应的。表1 实验参数项目参数或型号输入(vin) dc36v 输出(vo/io) dc 1v/25a s1，s2 irlu2905 sr1，sr2 irlr7833 lo1，lo2 2.2μh co 1500μf/2.5v 磁芯(core) r－42216－ec 匝比(turnratio) 10：1 漏感(lk) 600nh 开关频率(fs) 310khz 图4所示的是原边两个主管和副边同步管的门极驱动波形。通道r2表示s1的驱动波形；通道r1表示s2的驱动波形；通道1是同步管sr2的驱动波形；通道2是同步管sr1的驱动波形。由表1可以看到，变压器漏感lk=600nh。所以，在电流较小的时候，存储在漏

IRLR7843 IRLS3034-7PPBF IRLS3034PBF IRLS3036-7PPBF IRLS3036PBF IRLS4030-7PPBF IRLU120 IRLU2905 IRLZ34N IRM1010

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功率 - 最大:

安装类型:

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供应商设备封装:

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