IRGP30B120KD-E
2001
TO247/00+
只做原装，专为终端工厂服务
IRGP30B120KD-EP
350
TO2473 Long Leads (TO247AD)/24+
-
IRGP30B120KD
22500
-/16+RoHS
保证质量质优价好给你
IRGP30B120KD
12260
TO/23+
高品质 优选好芯
IRGP30B120KD
28683
TO247/21+
原装现货终端免费提供样品
IRGP30B120KD
5000
TO/23+
原装库存，提供优质服务
IRGP30B120KD
3278
NA//23+
原装现货，当天可交货，原型号开票
IRGP30B120KD
105000
TO247/23+
十年配单，只做原装
IRGP30B120KD
105
05+/TO3P
11
IRGP30B120KD
5000
N/A/25+
只做原装，价格市场
IRGP30B120KD
7300
TO247/23+
原装现货
IRGP30B120KD
7300
TO247/25+
行业十年，价格超越代理， 支持权威机构检测
IRGP30B120KD
16000
TO247/25+23+
原装正规渠道优势商全新进口深圳现货原盒原包
IRGP30B120KD
52701
TO247/22+
只做原装,专注海外现货订购20年
IRGP30B120KD
3000
TO/10+
原装正品热卖，价格优势
IRGP30B120KD
25000
TO247/22+
只做原装进口现货，专注配单
IRGP30B120KD
6500
TO3P/23+
只做原装现货
IRGP30B120KD
87800
11+/TO247AC
原装进口百分百现货
IRGP30B120KD
789
TO247/1019+
一手渠道 假一罚十 原包装常备现货林R Q2280193667
IRGP30B120KD
6000
TO247/22+
终端可免费供样,支持BOM配单
IRGP30B120KD-E
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI...
IRF
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IRGP30B120KD-E
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI...
IRF [International Rectifier]
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IRGP30B120KD-EP
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI...
IRF [International Rectifier]
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IRGP30B120KD-EPBF
Insulated Gate Bipolar Transistor, 6...
IRF
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而设计的典型igbt电容曲线。cres曲线（及其他曲线）表明一个特性，电容一直保持在较高水平，直到v接近15v，然后才下降到较低值。如果减小或消除这种“高原”(plateau) 特性，c的实际值就可以进一步减小。 这种现象是由igbt内部的本征jfet引起的。如果jfet的影响可以最小化，c和c可随着vce的提高而很快下降。这可能减小实际的cres，即减小dv/dt感生开通对igbt的影响。 图3 需负偏置关断的典型igbt的寄生电容与v的关系。 irgp30b120kd-e是一个备较小c和经改良jfet的典型igbt。这是一个1200v，30a npt igbt。它是一个co-pack器件，与一个反并联超快软恢复二极管共同配置于to-247封装。 设计人员可减小多晶体栅极宽度，降低本征jfet的影响，和使用元胞设计几何图形，从而达到以上的目标。 对两种1200v npt igbt进行比较：一种是其他公司的需负偏置关断的器件，一种是ir公司的npt单正向栅驱动irgp30b120kd-e。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56Ω下驱
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