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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8o...
IRF
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IRFR320
HEXFET? Power MOSFET
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IRFR320
HEXFET? Power MOSFETs
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IRFR320
3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Pow...
Intersil
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IRFR320A
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40...
ETC
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IRFR320B
400V N-Channel MOSFET
FAIRCHILD
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IRFR320B
400V N-Channel MOSFET
FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor]
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IRFR3209A
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 40...
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IRFR320TR
Power MOSFET
VISAY [Vishay Siliconix]
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IRFR320ATF
Power Field-Effect Transistor, N-Cha...
FAIRCHILD
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断,变压器的漏感电流不能跃变,由于q2的关断,变压器的漏感电流分别对q2、q3的源/漏寄生电容充/放电,使a点电压由电源电压的高电位转变为低电位,使与q3反并联的二极管d3导通,提供变压器的漏感电流通路,形成了事实上的零电压关断,如图2(c)。当变压器的漏感电流降到零前,使q3导通(由于死区时间不到1μs,很容易满足),使q3在“零电压”导通,如图2(d)。q3关断、q2导通的过程与上述描述相同,不再赘述,从而实现了“零电压”开关,使开关管的损耗几乎仅为导通损耗。本文的应用实例中,q2、q3选用irfr320结温为100℃时的导通电阻为3ω,满载时的工作电流约为300ma,导通压降为lv,占电源电压的0.25%。这样半桥的两个开关管的损耗可以小于整机输入功率的1%。隔离变压器由于工作在特定的工作状态,因而,其效率也非常高,大约为整机输入功率的1%。 2.4 肖特基整流二极管 由于隔离级开关管的占空比接近100%(98%),不仅流过输出整流器的电流的有效值最小,而且,输出级全波整流器的耐压仅需输出电压的2倍,对于输出为24v输出,完全可以选用耐压60v的肖特基整流二极管即可满足要求,而
3.1A/400V