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SOP8/05+08+
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IRF7313
HEXFET POWER MOSFET
IRF
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IRF7313
HEXFET POWER MOSFET
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IRF7313PBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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IRF7313PBF
HEXFET Power MOSFET
IRF [International Rectifier]
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IRF7313QPBF
HEXFET Power MOSFET
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IRF7313UPBF
Power Field-Effect Transistor, 6.5A ...
IRF
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IRF7313TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
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这由外部mosfet决定。 强制pwm模式对提高负载瞬态响应,减小音频噪声很有好处,还能提高动态输出电压调整时所需的吸收电流能力,提高多路输出时的调整能力。 2 max1715的参数计算 我们设计的移动通信平台电路参数如下: 输入电压vin=8~14.5v; 输出电压vout1=3.3v,vout2=5v; 蓄电池5×1.2v=6v,容量为2.8a·h; 纹波系数lir=0.35; 负载电流3a; 开关频率第一路345khz,第二路255khz; mos管irf7313,导通电阻rds=0.032ω,最大导通电阻rds(max)=0.046ω,vdss=30v,crss=130pf。 在确定开关频率和电感工作点(纹波比率)前,先确定输入电压范围和最大负载电流。尖峰负载电流会对元器件的瞬态应力和滤波要求产生影响,并因此决定了输出电容选择,电感饱和率和限流电路的设计。连续负载电流决定了温度应力,并因此决定了输入电容及mosfet的选择和其他要考虑热效应的器件的选择。一般设计连续负载电流是尖峰负载电流的80%。 电感工作点也是效率和体积的折中,最小的最优电感
处是空载时电池电流有10ma到40ma,这由外部mosfet决定。强制pwm模式对提高负载瞬态响应,减小音频噪声很有好处,还能提高动态输出电压调整时所需的吸收电流能力,提高多路输出时的调整能力。2 max1715的参数计算我们设计的移动通信平台电路参数如下:输入电压vin=8~14.5v;输出电压vout1=3.3v,vout2=5v;蓄电池5×1.2v=6v,容量为2.8a·h;纹波系数lir=0.35;负载电流3a;开关频率第一路345khz,第二路255khz;mos管irf7313,导通电阻rds=0.032ω,最大导通电阻rds(max)=0.046ω,vdss=30v,crss=130pf。在确定开关频率和电感工作点(纹波比率)前,先确定输入电压范围和最大负载电流。尖峰负载电流会对元器件的瞬态应力和滤波要求产生影响,并因此决定了输出电容选择,电感饱和率和限流电路的设计。连续负载电流决定了温度应力,并因此决定了输入电容及mosfet的选择和其他要考虑热效应的器件的选择。一般设计连续负载电流是尖峰负载电流的80%。电感工作点也是效率和体积的折中,最小的最优电感使电路工作在
关时间小于100纳秒。如果需要的话,这个负载开关可以简单地提供大于3a的输出电流。因为电路静态电流只是由两个三极管的漏电流产生的(小于100na),因此它可以被看作是零功耗。 因为ald 和 international rectifier device都是“双”的,一个常开、双极版的电路很容易就被建立了。电路的输入端既可以被连接在一起而提供一个dpst功能,也可以保持独立,而组成两个spst开关。 为了建立一个常开零功耗电路而且其负载通常处于关断状态,需要用一个n沟道负载驱动器(例如irf7313)取代p沟道负载驱动器irf7325。在这种情况下,电路是通常开通状态而且负载处于通常关闭状态,整个电路只消耗漏电流。相对于一个继电器激活的电路,这个电路的静态消耗被降低了几个数量级,从几瓦到几微瓦。 如图2的一个单常开、高侧spst开关电路,展示了一个应用ald110900a的超低功耗开关。 图2:一个使用了ald epd mosfets的微功耗、常开、高侧负载开关实现了零功耗;q2是一个零阀值器件。 advanced linear devices的ald110800