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恩智浦半导体(nxp semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)发布了bfu725f微波npn晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。bfu725f具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种rf应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备(例如gps系统、dect电话、卫星无线电设备、wlan/cdma应用)中灵敏的rf接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 ghz到30 ghz以内的各种应用(例如卫星低噪音电路块)的需求。 为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，bfu725f晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳(sigec)工艺技术，该工艺还用于开发单片ic和宽带晶体管。 除已经上市的解决方案外，包括tff1004hn(用于卫星低噪音电路块的高度集成ic)和bfu725f微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和mmic(单片微波ic)，预计将于今年年底和2008年年初面世。 bfu725f符合rohs标准，可达到极低的噪音(1.8 ghz时0.43 db / 5.
恩智浦半导体（nxp semiconductors）（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了bfu725f微波npn晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。bfu725f具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种rf应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备（例如gps系统、dect电话、卫星无线电设备、wlan/cdma应用）中灵敏的rf接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 ghz到30 ghz以内的各种应用（例如卫星低噪音电路块）的需求。 为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，bfu725f晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳（sigec）工艺技术，该工艺还用于开发单片ic和宽带晶体管。 除已经上市的解决方案外，包括tff1004hn（用于卫星低噪音电路块的高度集成ic）和bfu725f微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和mmic（单片微波ic），预计将于今年年底和2008年年初面世。 bfu725f符合rohs标准，可达到极低的噪音（1.8 ghz时0.43 db / 5.8 ghz时
恩智浦半导体(nxp semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了bfu725f微波npn晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。bfu725f具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种rf应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备(例如gps系统、dect电话、卫星无线电设备、wlan/cdma应用)中灵敏的rf接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 ghz到30 ghz以内的各种应用(例如卫星低噪音电路块)的需求。 为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，bfu725f晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳(sigec)工艺技术，该工艺还用于开发单片ic和宽带晶体管。 calamp公司工程卫星产品总监bruce bruchan先生表示，“我们选择了恩智浦的sigec bicmos技术，因为最终结果表明极具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益，又具备优良的动态范围。恩智浦不断开发利用sigec bicmos技术制造的产品，并通过持续创新应对快速变化的微波和无线市场日益增
品佳集团近期积极推广nxp高效能超低噪声的微波晶体管，高频应用(20ghz以下)的npn微波晶体管bfu725f 可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。 藉由其超低的噪声系数，非常适用于敏感度高的 rf module 及 high performance mobile phones；此外，其高切换频率的特色可用作 10ghz ~ 30ghz 之微波应用如卫星电视接收器及汽车防撞雷达的解决方案。 bfu725f 采用了创新的硅锗碳 (sige:c) bicmos制程–qubic4x，这是专门为符合现实生活中的高频应用要求所设计的，可提供优越的高功率增益及动态范围组合性能，这个晶体管可谓将砷化镓 (gaas) 的性能及硅锗碳的可靠性结为一体，但不需像使用砷化镓组件时还要再增加负偏置电压 (negative biasing voltages)的设计，所以在产品应用上更能为客户带来成本效益，此产品目前巳有样品可提供申请，预计于2007年第三季可量产供货。 key features very low noice of
nxp推出高效能超低噪声的微波晶体管，高频应用(20ghz以下)的npn微波晶体管bfu725f 可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。藉由其超低的噪声系数，非常适用于敏感度高的 rf module 及 high performance mobile phones；此外，其高切换频率的特色可用作 10ghz～30ghz 之微波应用如卫星电视接收器及汽车防撞雷达的解决方案。 500){this.width=500}" border=0> bfu725f 采用了创新的硅锗碳 (sige:c) bicmos制程-qubic4x，这是专门为符合现实生活中的高频应用要求所设计的，可提供优越的高功率增益及动态范围组合性能，这个晶体管可谓将砷化镓 (gaas) 的性能及硅锗碳的可靠性结为一体，但不需像使用砷化镓组件时还要再增加负偏置电压 (negative biasing voltages)的设计，所以在产品应用上更能为客户带来成本效益。 key features very low noice of 0.69db at 6ghz high maxi
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种RF应用的理想解决方案。超...
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NXP推出高效能超低噪声的微波晶体管，高频应用(20GHz以下)的NPN微波晶体管BFU725F 可提供极佳的高切换频率、高增益和低噪声等组合性能。藉由其超低的噪声系数，非常适用于敏感度高的 RF module 及 ...
恩智浦半导体(NXP Semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)发布了BFU725F微波NPN晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。BFU725F具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重...
恩智浦半导体(nxp semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)日前发布了bfu725f微波npn晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。bfu725f具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种rf应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备(例如gps系统、dect电话、卫星无线电设备、wlan/cdma应用)中灵敏的rf接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 ghz到30 ghz以内的各种应用(例如卫星低噪音电路块)的需求。 为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，bfu725f晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳(sigec)工艺技术，该工艺还用于开发单片ic和宽带晶体管。 calamp公司工程卫星产品总监bruce bruchan先生表示，“我们选择了恩智浦的sigec bicmos技术，因为最终结果表明极具成本效益的硅基分立器件既能提供杰出的功率增益，又具备优良的动态范围。恩智浦不断开发利用sigec bicmos技术制造的产品，并通过持续创新应对快速变化的微波和无线市场日益增
恩智浦半导体(nxp semiconductors)(由飞利浦创建的独立半导体公司)发布了bfu725f微波npn晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。bfu725f具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种rf应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备(例如gps系统、dect电话、卫星无线电设备、wlan/cdma应用)中灵敏的rf接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 ghz到30 ghz以内的各种应用(例如卫星低噪音电路块)的需求。 为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，bfu725f晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳(sigec)工艺技术，该工艺还用于开发单片ic和宽带晶体管。 除已经上市的解决方案外，包括tff1004hn(用于卫星低噪音电路块的高度集成ic)和bfu725f微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和mmic(单片微波ic)，预计将于今年年底和2008年年初面世。 bfu725f符合rohs标准，可达到极低的噪音(1.8 ghz时0.43 db / 5.8 gh
恩智浦半导体（nxp semiconductors）（由飞利浦创建的独立半导体公司）发布了bfu725f微波npn晶体管，这是一系列硅基分立器件解决方案中的第一款产品。bfu725f具有高开关频率、高增益和超低噪音等多重特点，使其成为各种rf应用的理想解决方案。超低噪声可以改善各种无线设备（例如gps系统、dect电话、卫星无线电设备、wlan/cdma应用）中灵敏的rf接收器的接收效果，而超高断开频率则可以很好地满足运行频率在10 ghz到30 ghz以内的各种应用（例如卫星低噪音电路块）的需求。 为解决当今设备的性能需求和生产商考虑的成本问题，bfu725f晶体管在开发时使用了恩智浦用于分立器件的硅锗碳（sigec）工艺技术，该工艺还用于开发单片ic和宽带晶体管。 除已经上市的解决方案外，包括tff1004hn（用于卫星低噪音电路块的高度集成ic）和bfu725f微波晶体管，恩智浦正在开发其他几种硅基宽带晶体管和mmic（单片微波ic），预计将于今年年底和2008年年初面世。 bfu725f符合rohs标准，可达到极低的噪音（1.8 ghz时0.43 db / 5.
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