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ng k4m28163pd-rs1l，自动刷新电流85ma，4 bank激活突发模式为50ma，可使能sdram自动预充。这样在每次突发读写后，该bank进入空闲状态，电流可降到5.5ma。omap1510对k4m28163pd-rs1l进行控制时，应置k4s56163-rr75为全页突发，以减小访问时间，降低功耗。系统常有一些数据量不大的数据需要保存，可采用铁电存储器，如声音的音量、lcd的亮度。这些参数如果保存到flash或者eeprom，功耗会更大。flash需要整块擦除。ramtron的fm24cl16在3v电源100khz频率读写时，电流为75ua,standby电流为1ua。atmel at24c16在5v 100khz读写电流分别是0.4ma、2ma，在2.7v时standby电流为1.6ua。at24cl16字节写入时间大约10ms，fm24cl16写入时间总为线时间，不需延时，因而功耗较小。sdram与flash、sram采用不同的接口，在调试arm中断服务程序时，由于中断服务矢量位于低端地址，调试时最好有sram映射到0地址处。因此sram和flash的片选信号应该是可配置的。sr
员会针对集成电路而设的测试标准)的要求。ramtron正积极实施多项计划来扩充符合aec-q100标准的fram产品系列，以应对汽车市场的设计和采购挑战。该公司并已制定认证计划以支持多个用户设计项目，涵盖从驾驶室应用到车辆最严格的应用环境。 ramtron副总裁mike alwais称：“fram的nodelay写操作使其成为唯一适用于先进的汽车电子系统的非易失性存储器技术。诸如：自适应巡航控制等。fm24cl16并已设计在这类系统中，能达到汽车应用的高可靠性高质量元件要求。” aec-q100认证计划的推出，是为了适应汽车子系统对更好的非易失性数据存储解决方案日益增长的需求。由于使用了微处理器和传感器，车辆中的电子正变得越来越“智能化”；fram已经成为高电子含量应用中不可或缺的部分，例如智能安全气囊、乘客传感器、信息娱乐系统、防夹/活动天窗、汽车变速控制系统、自适应巡航控制和线控转向控制系统等，因为fram能够提供像eeprom和闪存等旧式存储器无法提供的功能，如快速写入、无限读写寿命及超低功耗等。ramtron目前正针对(-40℃至125℃)工作温度范围的grade 1级别开发多种f
，而每种工作模式可以通过对时钟的控制实现不同的功耗，其工作在lpm4模式下的功耗电流只有0.1μa,非常适合采用电池供电的系统。片内flash rom用于存储应用程序、通讯协议；uart接口连接无线通信模块；10位a/d转换器实现电池电压检测、模拟量输入；内部16位定时计数器实现pwm输出，经低通滤波后，再由放大器放大，实现模拟量输出；i2c接口连接铁电存储器fram。其余的通用输入输出端口分别实现数字量和脉冲量的输入、输出以及拨码开关状态的输入。4．2 铁电存储器存储器采用ramtron公司的fm24cl16，它是一种串行非易失性存储器，其特点是可无限次地读写，掉电数据可保护10年；写数据无延时；使用二线制串行总线及其传输规范进行双向传输，这种方式占用脚位少，占用线路板空间小，总线速度可以达到1mhz，静态工作电流仅为1μa。这些特点使其十分适合本设计对功耗低、体积小、数据读写频繁的要求。4．3 磁保持继电路磁保持继电器采用松下公司的tq2-l2—3v，通过msp430f1232的输出管脚do_s、do_r控制开关管q1、q2的开关状态，实现继电器线圈电流的通断控制，从而控制继电器触点的动作。如果采
令执行状态csw（command status wrapper）, host根据csw来决定是否继续传送下一个cbw或数据。usb host要求usb设备执行的命令如果为发送数据，则此时需要将特定的数据传送出去，传送完毕后发出csw，使usb host进行下一步操作。 图2 电源模块原理图 图3 usb host模块原理图 存储模块硬件设计 结合普通flash和fram来存储数据，既满足了数据存储擦写次数的要求，也有比较低的成本。数据存储模块的硬件电路如图4所示。 fram芯片fm24cl16通过i2c接口和at89c51rd2相连，i2c总线通过两根线——串行数据（sda）和串行时钟（scl）线连接到总线上的任何一个器件，每个器件都有一个唯一的地址，而且都可以作为一个发送器或接收器。此外，器件在执行数据传输时也可以看作是主机或从机，i2c是一个多主机总线，sda和scl都是双线路，连接到总线的器件的输出级必须是漏极开路或集电极开路，都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时，这两条线路都是高电平。flash芯片at45db041通过spi接口和at89c51rd2相
mand status wrapper）, host根据csw来决定是否继续传送下一个cbw或数据。usb host要求usb设备执行的命令如果为发送数据，则此时需要将特定的数据传送出去，传送完毕后发出csw，使usb host进行下一步操作。 图2 电源模块原理图 图3 usb host模块原理图 存储模块硬件设计 结合普通flash和fram来存储数据，既满足了数据存储擦写次数的要求，也有比较低的成本。数据存储模块的硬件电路如图4所示。 fram芯片fm24cl16通过i2c接口和at89c51rd2相连，i2c总线通过两根线——串行数据（sda）和串行时钟（scl）线连接到总线上的任何一个器件，每个器件都有一个唯一的地址，而且都可以作为一个发送器或接收器。此外，器件在执行数据传输时也可以看作是主机或从机，i2c是一个多主机总线，sda和scl都是双线路，连接到总线的器件的输出级必须是漏极开路或集电极开路，都通过一个电流源或上拉电阻连接到正的电源电压。当总线空闲时，这两条线路都是高电平。flash芯片at45db041通过spi接口和at89c51rd2相
16K位非易失性铁电存储器,结构容量为2048×8位,读/写次数无限制,掉电数据保持10年,写数据无延时,采用先进的高可靠性的铁电制造工艺； 快速的串行2线接口,总线速度最大可达1MHz,硬件上可直接取代EEPROM；低功率操作：真正2.7～3.6V操作电压,3V时动态工作电流（100kHz）75μA,待机电流1μA； 工业标准配置：工业级温度一40～＋85℃
非易失性铁电存储器(fram)和集成半导体产品供应商ramtron international公司宣布推出fm24cl16的16kb、3v串行fram存储器器件的汽车级认证型号，能达到aec-q100标准(汽车电子设备委员会针对集成电路而设的测试标准)的要求。ramtron正积极实施多项计划来扩充符合aec-q100标准的fram产品系列，以应对汽车市场的设计和采购挑战。该公司并已制定认证计划以支持多个用户设计项目，涵盖从驾驶室应用到车辆最严格的应用环境。 ramtron副总裁mike alwais称：“fram的nodelay写操作使其成为唯一适用于先进的汽车电子系统的非易失性存储器技术。诸如：自适应巡航控制等。fm24cl16并已设计在这类系统中，能达到汽车应用的高可靠性高质量元件要求。” aec-q100认证计划的推出，是为了适应汽车子系统对更好的非易失性数据存储解决方案日益增长的需求。由于使用了微处理器和传感器，车辆中的电子正变得越来越“智能化”；fram已经成为高电子含量应用中不可或缺的部分，例如智能安全气囊、乘客传感器、信息娱乐系统、防夹/活动天窗、汽车变速控制系统、自
世界顶尖的非易失性铁电存储器 (fram) 和集成半导体产品供应商ramtron international 公司宣布推出fm24cl16的16kb、3v串行fram存储器器件的汽车级认证型号，能达到aec-q100标准 (汽车电子设备委员会针对集成电路而设的测试标准) 的要求。ramtron正积极实施多项计划来扩充符合aec-q100标准的fram产品系列，以应对汽车市场的设计和采购挑战。该公司并已制定认证计划以支持多个用户设计项目，涵盖从驾驶室应用到车辆最严格的应用环境。 ramtron副总裁mike alwais称：“fram的nodelay写操作使其成为唯一适用于先进的汽车电子系统的非易失性存储器技术。诸如：自适应巡航控制等。fm24cl16并已设计在这类系统中，能达到汽车应用的高可靠性高质量元件要求。” aec-q100认证计划的推出，是为了适应汽车子系统对更好的非易失性数据存储解决方案日益增长的需求。由于使用了微处理器和传感器，车辆中的电子正变得越来越“智能化”；fram已经成为高电子含量应用中不可或缺的部分，例如智能安全气囊、乘客传感器、信息娱
ramtron international公司推出的fram存储器fm24cl16达到汽车电子系统的aec-q100标准(汽车电子设备委员会针对集成电路而设的测试标准)的要求。ramtron正积极实施多项计划来扩充符合aec-q100标准的fram产品系列，以应对汽车市场的设计和采购挑战。该公司并已制定认证计划以支持多个用户设计项目，涵盖从驾驶室应用到车辆最严格的应用环境。 ramtron副总裁mike alwais称：“fram的nodelay写操作使其成为唯一适用于先进的汽车电子系统的非易失性存储器技术。诸如：自适应巡航控制等。fm24cl16并已设计在这类系统中，能达到汽车应用的高可靠性高质量元件要求。” aec-q100认证计划的推出，是为了适应汽车子系统对更好的非易失性数据存储解决方案日益增长的需求。由于使用了微处理器和传感器，车辆中的电子正变得越来越“智能化”；fram已经成为高电子含量应用中不可或缺的部分，例如智能安全气囊、乘客传感器、信息娱乐系统、防夹/活动天窗、汽车变速控制系统、自适应巡航控制和线控转向控制系统等，因为fram能够提供像eeprom和闪存等旧式存
ng k4m28163pd-rs1l，自动刷新电流85ma，4 bank激活突发模式为50ma，可使能sdram自动预充。这样在每次突发读写后，该bank进入空闲状态，电流可降到5.5ma。omap1510对k4m28163pd-rs1l进行控制时，应置k4s56163-rr75为全页突发，以减小访问时间，降低功耗。系统常有一些数据量不大的数据需要保存，可采用铁电存储器，如声音的音量、lcd的亮度。这些参数如果保存到flash或者eeprom，功耗会更大。flash需要整块擦除。ramtron的fm24cl16在3v电源100khz频率读写时，电流为75ua,standby电流为1ua。atmel at24c16在5v 100khz读写电流分别是0.4ma、2ma，在2.7v时standby电流为1.6ua。at24cl16字节写入时间大约10ms，fm24cl16写入时间总为线时间，不需延时，因而功耗较小。sdram与flash、sram采用不同的接口，在调试arm中断服务程序时，由于中断服务矢量位于低端地址，调试时最好有sram映射到0地址处。因此sram和flash的片选信号应该是可配置的。sr
--------------------------------------------------//eeprom器件//-----------------------------------------------------------#include "..\universal\i2cbus.h"#define device0 0 //物理地址device#define at24c128#ifdef fm24cl16 #define eeprom_readbyte(addr) i2cbus_readbyte( (addr>>8)|0x80, addr&0xff ) #define eeprom_readshort(addr) i2cbus_readshort( (addr>>8)|0x80, addr&0xff ) #define eeprom_readint(addr)
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