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FinFET全称叫鳍式场效应晶体管,是一种新的互补式金氧半导体晶体管。FinFET命名根据晶体管的形状与鱼鳍的相似性。这种设计可以改善电路控制并减少漏电流,缩短晶体管的闸长。
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在半导体产业几十年的发展历程中,对更高性能、更低功耗与更紧凑设计的追求始终是驱动技术迭代的核心动力。如今,这些追求推动着制程工艺节点突破物理极限,正式迈...
在半导体制造领域,晶体管结构的选择如同建筑中的地基设计,直接决定了芯片的性能上限与能效边界。当制程节点推进到22nm以下时,传统平面晶体管已无法满足需求...
自半导体晶体管问世以来,集成电路技术便在摩尔定律的指引下迅猛发展。摩尔定律预言,单位面积上的晶体管数量每两年翻一番,而这一进步在过去几十年里得到了充分验证。
一个复杂的处理器可能包含数亿甚至数十(百)亿个晶体管,这些晶体管通过细金属线彼此互联。芯片的制造过程极其复杂,需要经历数百个精确控制的步骤。
FinFET(鳍式场效应晶体管)从平面晶体管到FinFET的演变是一种先进的晶体管架构,旨在提高集成电路的性能和效率。它通过将传统的平面晶体管转换为三维...
在90纳米制程之前,每一代集成电路技术节点的缩放不仅带来了更高的器件密度,还提升了器件性能。然而,当CMOS IC从90纳米发展到65纳米节点时,缩放并...
当做到FinFET工艺时才了解到这个名词,在平面工艺时都没有接触SHE(self-heating effect)这个概念。为什么到FinFET下开始需要...
半导体器件的制造由许多步骤组成,这些步骤必须产生定义明确的结构,并且从一个器件到下一个器件的偏差很小。每一步都必须考虑之前和随后的制造步骤,以确保实现所...
DPT Double Patterning Technology。double pattern就是先进工艺下底层金属/poly加工制造的一种技术,先进工...
今天分享另一篇网上流传很广的22nm 平面 process flow. 有兴趣的可以与上一篇22nm gate last FinFET process ...
提高芯片的良率变得越来越困难,很多新建的晶圆厂通线数年仍难以量产,有的虽勉强量产,但是良率始终无法爬坡式的提升,很多朋友会问:芯片的良率提升真的有那么难...
背面电力传输打破了在硅晶圆正面处理信号和电力传输网络的长期传统。通过背面供电,整个配电网络被移至晶圆的背面。硅通孔 (TSV) 将电源直接从背面传送到正...
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