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SOI全称为Silicon-On-Insulator,即绝缘衬底上的硅,该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。SOI是硅晶体管结构在绝缘体之上的意思,原理就是在Silicon(硅)晶体管之间,加入绝缘体物质,可使两者之间的寄生电容比原来的少上一倍。
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Quasi-SOIDevices审稿人:北京大学杨远程https://www.pku.edu.cn审稿人:北京大学许晓燕10.1非传统新结构器件第10章...
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