型号	描述	参考价格
4060K	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):42W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.8mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.65V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):52nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):2.246nF@20V;反向传输电容(Crss@Vds):176pF@20V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);	获取价格
30H12K/H		获取价格
2080K	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):88W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.4mΩ@4.5V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):800mV@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):38nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):2.56nF@10V;反向传输电容(Crss@Vds):356pF@10V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);	获取价格
IPT2601Q	应用功能:-;接口协议:-;	获取价格
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