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标签 > 光刻
光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔,以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。
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【博主简介】本人“ 爱在七夕时 ”,系一名半导体行业质量管理从业者,旨在业余时间不定期的分享半导体行业中的:产品质量、失效分析、可靠性分析和产品基础应用...
一、引言 玻璃晶圆在半导体制造、微流控芯片等领域应用广泛,光刻工艺作为决定器件图案精度与性能的关键环节,对玻璃晶圆的质量要求极为严苛 。总厚度偏差(T...
光阻去除(即去胶工艺)属于半导体制造中的光刻制程环节,是光刻技术流程中不可或缺的关键步骤。以下是其在整个制程中的定位和作用:1.在光刻工艺链中的位置典型...
作者:Pete Bartolik 投稿人:DigiKey 北美编辑 在半导体芯片销售额从 2022 年的 6000 亿美元增至 2030 年的 1 万亿...
本文系统梳理了直写式、多电子束与投影式EBL的关键技术路径,涵盖扫描策略、束流整形、邻近效应校正与系统集成等方面,并探讨其在精度、效率与成本间的技术矛盾...
本文将系统介绍光阻的组成与作用、剥离的关键工艺及化学机理,并探讨不同等离子体处理方法在光阻去除中的应用。 一、光阻(Photoresist,PR)的...
光刻是芯片制造过程中至关重要的一步,它定义了芯片上的各种微细图案,并且要求极高的精度。以下是光刻过程的详细介绍,包括原理和具体步骤。 光刻原理...
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图1 肘形图形为目标图形,不同方法得到的全息掩模分布、空间像与光刻胶轮廓 近日,中国科学院上海光学精密机械研究所高端光电装备部李思坤研究员团队在全息光刻...
引言 晶圆光刻图形是半导体制造中通过光刻工艺形成的微米至纳米级三维结构(如光刻胶线条、接触孔、栅极图形等),其线宽、高度、边缘粗糙度等参数直接决定后续蚀...
一、引言 在半导体制造、微机电系统(MEMS)等高新技术领域,1um 以下光刻深度、凹槽深度和宽度的精确测量至关重要。这类微小尺寸的测量精度直接影响产品...
极紫外光刻(EUVL)技术作为实现先进工艺制程的关键路径,在半导体制造领域占据着举足轻重的地位。当前,LPP-EUV 光源是极紫外光刻机所采用的主流光源...
引言 在半导体制造与微纳加工领域,光刻图形线宽变化直接影响器件性能与集成度。精确控制光刻图形线宽是保障工艺精度的关键。本文将介绍改善光刻图形线宽变化的方...
引言 在显示面板制造的 ARRAY 制程工艺中,光刻胶剥离是关键环节。铜布线在制程中广泛应用,但传统光刻胶剥离液易对铜产生腐蚀,影响器件性能。同时,光刻...
引言 在半导体制造过程中,光刻胶剥离液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)虽在光刻胶剥离方面表现出色,但因其高含量使用带来的成...
进入过无尘间光刻区的朋友,应该都知道光刻区里用的都是黄灯,这个看似很简单的问题的背后却蕴含了很多鲜为人知的道理,那为什么实验室光刻要用黄光呢? 光刻是微...
2025-06-16 标签:光刻 989 0
引言 在 TFT-LCD 显示屏制造工艺中,光刻胶剥离是关键工序之一,其效果直接影响显示屏的质量与性能。随着 TFT-LCD 技术向高分辨率、窄边框方向...
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