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STD2NB80

更新时间:2025-06-20 04:40:51

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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诚信经营，提供BOM一站式配单服务
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北京逸芯同创电子有限公司
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原装现货，实单来谈，配套服务

深圳市伟科芯电子科技有限公司
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ST/意法
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原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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3000
ST
SMD/DIP/11+PBF
原装正品热卖，价格优势

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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4500
S
TO252/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市华美锐电子有限公司
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只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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NXP/恩智浦
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十年配单，只做原装

深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
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TO251/252/10+
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9800
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深圳市腾桩电子有限公司
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原厂渠道，现货配单

上海熠富电子科技有限公司
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上海原装现货库存，欢迎咨询合作

深圳市创胜达电子有限公司
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6000
ST/意法
TO251/24+
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深圳市集达胜电子科技有限公司
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28800
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蓝界科技（深圳）有限公司
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2501
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16+/16+
代理直销，公司原装现货供应

深圳市富科达科技有限公司
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24652
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全新原装进口现货特价热卖，长期供货

深圳市天卓伟业电子有限公司
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154836
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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安富微（深圳）商贸有限公司
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STD2NB80 概述

STD2NB80是意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压N沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效功率转换应用。其最大漏源电压(Vds)可达800V，适合在高电压电路中使用。典型应用场景包括开关电源、照明控制系统、电机驱动器以及家用电器的电源管理电路。在这些应用中，STD2NB80能够有效降低功耗并提高系统效率。由于其具备良好的热稳定性和较高的击穿电压，在需要处理高电压信号或进行能量转换的场合表现优异。使用时应注意适当的散热设计以确保器件工作在安全温度范围内，并根据具体应用选择合适的栅极驱动电路，以充分发挥其性能优势。在电路设计中，建议仔细评估实际工况下的电流能力和热效应，确保系统稳定可靠运行。

STD2NB80 规格参数

制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
800 V
闸/源击穿电压
+/- 30 V
漏极连续电流
1.9 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
6.5 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252
封装
Tube
下降时间
17 ns
最小工作温度
- 65 C
功率耗散
55 W
上升时间
10 ns
工厂包装数量
75

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