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产品描述: 碳化硅场效应管(MOSFET)/E3M0075120K/ 全新原装现货品牌名称:WOLFSPEED商品型号:E3M0075120K商品封装:TO-247-4包装方式:管装商品毛重:6.5克(g)类型:1个N沟道漏源电...
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型号:SI2309 封装:SOT-23 品牌:SWIRE 类型:低压MOS管/低压MOS管/低压MOS管 <p...
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XBLW/芯伯乐 国产品牌50P06D深圳市博伟奇电子有限公司是一家专注于集成电路产品代理分销,致力于为客户提供灵活、高效、可靠的芯片服务。公司总部设在中国深圳,由一批具有海内外企业...
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FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Tc) 驱动电压( Rds On, Rds On) 5V 不同 Id,Vgs 时的 Rds O...
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一、用指针式万用表对场效应管进行判别(1)用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法:将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正
Cds---漏-源电容Cdu---漏-衬底电容Cgd---栅-源电容Cgs---漏-源电容Ciss---栅短路共源输入电容Coss---栅短路共源输出电容Crss---栅短路共源反向传输电容D---占空比(占空系数,外电路参数)di/dt---电流