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STP360N4F6产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP360N4F6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP360N4F6价格参考。STMicroelectronicsSTP360N4F6封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220。您可以下载STP360N4F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP360N4F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP360N4F6是一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,广泛应用于需要高效功率转换和控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效能的电压转换,适用于服务器、通信设备和工业电源系统。 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机或无刷电机的驱动电路中作为开关元件,适用于电动工具、自动化设备和机器人控制。 3. 汽车电子:用于车载电源系统、电机控制、LED照明驱动等场景,满足汽车环境对高可靠性和稳定性的要求。 4. 工业自动化:如PLC、变频器、伺服驱动器等设备中,用于高频开关控制与功率调节。 5. 新能源领域:应用于太阳能逆变器、储能系统和电池管理系统(BMS)中,提升能源转换效率。 该器件具有高耐用性和良好的热稳定性,适合在高频率、高效率和高功率密度的电路设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V TO-220MOSFET N-CH 40V 120A STripFET VI DeepGATE |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP360N4F6DeepGATE™, STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP360N4F6 |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 340 nC |
| Qg-栅极电荷 | 340 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 17930pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 340nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.8 毫欧 @ 60A, 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13972-5 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 系列 | STP360N4F6 |
| 配置 | Single |