| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STFI24NM60N由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI24NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTFI24NM60N封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STFI24NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STFI24NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STFI24NM60N是一款功率MOSFET器件,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。该器件具有低导通电阻、高耐压(600V)和大电流承载能力的特点,适用于多种电源管理和功率转换场景。 主要应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等设备的高效开关电源设计,提升能量转换效率并减小体积。 2. 电机驱动:在工业自动化或电动车控制系统中作为开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 照明系统:如LED路灯或工业照明中的DC-DC或AC-DC转换器,实现节能与稳定供电。 4. 家电控制:用于洗衣机、空调等家用电器的变频器或电源管理模块中,提高能效与可靠性。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器或储能系统中的功率变换部分,支持清洁能源的高效利用。 其封装形式适合高密度布局与自动化生产,满足工业级温度范围要求,适用于严苛工作环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK FPMOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A MDmesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STFI24NM60NMDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STFI24NM60N |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 190 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 46nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 8A,10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP (281) |
| 其它名称 | 497-12859-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF252718?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 190 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包, I²Pak |
| 封装/箱体 | I2PAK |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 650 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 17A (Tc) |
| 系列 | STFI24NM60N |