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Datasheet下载- 型号： SIR890DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SIR890DP-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR890DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR890DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR890DP-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 50A（Tc） 5W（Ta），50W（Tc） PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR890DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIR890DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SIR890DP-T1-GE3 是一款 N 沟道功率 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于 DC-DC 转换器、开关模式电源（SMPS）、负载点转换器（POL）等应用，提供高效的功率转换和稳定的电压输出。 2. 电机控制：用于小型直流电机驱动和控制，支持高效启动、停止及速度调节功能，适用于家用电器、工业设备及消费电子产品中的电机驱动。 3. 电池管理：在电池保护电路中作为开关元件，实现过流、短路保护以及充放电管理，广泛应用于锂电池组、移动电源和其他便携式设备。 4. 负载切换：用作电子负载开关，在各种系统中实现负载的快速开启与关闭，确保系统的稳定性和安全性，如 USB 充电端口保护、负载隔离等。 5. 通信设备：在基站、路由器及其他通信设备中作为信号路径或电源路径的开关，保证信号完整性并优化功耗。 6. 汽车电子：可用于车载电子设备，例如电动窗户、座椅调节、LED 照明控制等场景，满足汽车级可靠性要求（若符合相关认证标准）。 SIR890DP-T1-GE3 凭借其优异的电气性能和紧凑封装（TrenchFET Gen III, PowerPAK® 1212-8S），非常适合需要高效能、小尺寸解决方案的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8MOSFET 20V 50A 50W 2.9mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR890DP-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SIR890DP-T1-GE3SIR890DP-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 5 W |
| Pd-功率耗散 | 5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2747pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIR890DP-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 50W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 50 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Vishay/TrenchFET_N.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
| 系列 | SIRxxxDP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SIR890DP-GE3 |
