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详细数据请看参考数据手册
- 型号： SIJ458DP-T1-GE3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SIJ458DP-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIJ458DP-T1-GE3价格参考。VishaySIJ458DP-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SIJ458DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SIJ458DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIJ458DP-T1-GE3是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm×1.2mm小型DFN封装，适用于空间受限的便携式电子设备。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关效率和良好的热性能，广泛应用于电池供电系统中的电源管理与负载开关控制。 典型应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备和物联网终端等消费类电子产品，用于电池保护电路、电源开关、DC-DC转换器及过流/过压保护模块。其小尺寸和高效能特性也适合用于热插拔电路和电机驱动中的低功率开关控制。此外，SIJ458DP-T1-GE3具备良好的ESD防护能力，增强了系统在复杂电磁环境下的可靠性，适用于对稳定性和集成度要求较高的嵌入式系统。因其无需散热片即可有效散热，有助于简化PCB设计并降低成本。总体而言，该MOSFET特别适合追求小型化、高能效和高可靠性的现代电子设备电源管理解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SIJ458DP-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4810pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 122nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 其它名称 | SIJ458DP-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 69.4W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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