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  • 型号: PHC21025,118
  • 制造商: NXP Semiconductors
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PHC21025,118产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PHC21025,118由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHC21025,118价格参考。NXP SemiconductorsPHC21025,118封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.5A, 2.3A 2W Surface Mount 8-SO。您可以下载PHC21025,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHC21025,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 PHC21025,118 是一款双通道 N 沟道 MOSFET 阵列,属于晶体管中的 FET/MOSFET 产品类别。该器件采用小型 SOT1118 封装,具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适用于空间受限且对效率要求较高的应用。

典型应用场景包括:便携式电子设备中的电源管理与负载开关,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备;电池供电系统中的电源切换与保护电路;DC-DC 转换器中的同步整流;以及各类低电压电机驱动和信号切换电路。其双 MOSFET 设计支持并联或半桥配置,适合用于需要高效能开关控制的小功率电路中。

此外,PHC21025,118 还广泛应用于消费类电子产品、工业控制模块、通信设备接口的电平转换与驱动,以及 LED 背光驱动等场景。由于其符合 RoHS 标准且可靠性高,也适合在自动化、物联网终端等对长期稳定性有要求的系统中使用。

总之,该型号凭借小尺寸、高性能和高集成度,特别适用于现代高密度、低功耗电子设计中的开关与功率控制任务。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC

产品分类

FET - 阵列

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PHC21025,118

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 20V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

100 毫欧 @ 2.2A,10V

供应商器件封装

8-SO

其它名称

568-11059-6

功率-最大值

2W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.5A,2.3A

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