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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBZ5257BLT1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBZ5257BLT1价格参考。ON SemiconductorMMBZ5257BLT1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMBZ5257BLT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBZ5257BLT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美半导体)的MMBZ5257BLT1是一款单齐纳二极管,属于二极管 - 齐纳 - 单类别。它广泛应用于各种电子电路中,主要用途包括电压调节、过压保护、信号电平移位和基准电压源等。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 电压调节: MMBZ5257BLT1可用作稳压元件,在电源电路中提供稳定的参考电压。例如,在低功耗设备或传感器模块中,齐纳二极管可以确保负载电压保持在特定范围内。 2. 过压保护: 在敏感电路中,齐纳二极管可用于吸收瞬态高电压,防止损坏后续电路。例如,保护输入端口免受静电放电(ESD)或浪涌电压的影响。 3. 基准电压源: 由于其稳定的击穿电压特性,MMBZ5257BLT1可作为精密电路中的基准电压源。例如,在模拟-数字转换器(ADC)或比较器电路中提供稳定的参考电压。 4. 信号电平移位: 在信号处理电路中,齐纳二极管可用于将输入信号限制在特定范围内,从而实现电平移位或削波功能。 5. 温度补偿电路: 齐纳二极管的击穿电压随温度变化,因此可以与其他温度敏感元件结合使用,设计出温度补偿电路。 6. 音频和射频电路保护: 在音频放大器或射频前端电路中,齐纳二极管可用于限制输入信号幅度,避免过载或失真。 MMBZ5257BLT1的具体参数(如额定功率、击穿电压等)使其适用于小型化、低功耗的设计场景,适合消费电子、工业控制、通信设备等领域。在实际应用中,需根据电路需求选择合适的偏置电流以确保齐纳二极管工作在稳定区域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 33V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | MMBZ5257BLT1 |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 25V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBZ5257BLT1OSCT |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 10 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 33V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 58 欧姆 |