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  • 型号: MMBT2907ALT3G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2907ALT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2907ALT3G价格参考¥0.09-¥0.09。ON SemiconductorMMBT2907ALT3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 600mA 200MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT2907ALT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2907ALT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMBT2907ALT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小信号封装,具有高可靠性与稳定性。该器件常用于中低功率的开关和放大电路中。

典型应用场景包括:  
1. 开关电路:广泛应用于电源管理、LED驱动、继电器控制等场景,作为电子开关实现负载的通断控制。  
2. 信号放大:在音频设备、传感器信号调理电路中,用于小信号的线性放大。  
3. 逻辑转换与接口电路:在数字电路中配合微控制器使用,实现电平转换或增强驱动能力。  
4. 消费类电子产品:如手机、平板、家用电器中的控制模块。  
5. 工业控制与汽车电子:因其符合AEC-Q101标准并具备无铅环保特性(“G”后缀表示符合RoHS),适用于汽车电子中的小型驱动电路与保护电路。

该型号具有较高的直流电流增益和快速开关响应,适合高频及紧凑型设计需求,是通用型晶体管的理想选择之一。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS PNP 60V 600MA SOT-23两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 单路分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2907ALT3G-

数据手册

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产品型号

MMBT2907ALT3G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1.6V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,10V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

MMBT2907ALT3GOSDKR

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

200 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

封装/箱体

SOT-23-3

工厂包装数量

10000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

PNP

最大功率耗散

225 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

60V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

10nA(ICBO)

直流集电极/BaseGainhfeMin

75

系列

MMBT2907AL

配置

Single

集电极—发射极最大电压VCEO

- 60 V

集电极—基极电压VCBO

- 60 V

集电极—射极饱和电压

- 1.6 V

集电极连续电流

- 0.6 A

频率-跃迁

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