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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMBT2907ALT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMBT2907ALT3G价格参考¥0.09-¥0.09。ON SemiconductorMMBT2907ALT3G封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 单, 双极 (BJT) 晶体管 PNP 60V 600mA 200MHz 300mW 表面贴装 SOT-23-3(TO-236)。您可以下载MMBT2907ALT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMBT2907ALT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMBT2907ALT3G是安森美(ON Semiconductor)生产的一款NPN型双极结型晶体管(BJT),采用SOT-23小信号封装,具有高可靠性与稳定性。该器件常用于中低功率的开关和放大电路中。 典型应用场景包括: 1. 开关电路:广泛应用于电源管理、LED驱动、继电器控制等场景,作为电子开关实现负载的通断控制。 2. 信号放大:在音频设备、传感器信号调理电路中,用于小信号的线性放大。 3. 逻辑转换与接口电路:在数字电路中配合微控制器使用,实现电平转换或增强驱动能力。 4. 消费类电子产品:如手机、平板、家用电器中的控制模块。 5. 工业控制与汽车电子:因其符合AEC-Q101标准并具备无铅环保特性(“G”后缀表示符合RoHS),适用于汽车电子中的小型驱动电路与保护电路。 该型号具有较高的直流电流增益和快速开关响应,适合高频及紧凑型设计需求,是通用型晶体管的理想选择之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS PNP 60V 600MA SOT-23两极晶体管 - BJT 600mA 60V PNP |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MMBT2907ALT3G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMBT2907ALT3G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1.6V @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | MMBT2907ALT3GOSDKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 200 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | PNP |
| 最大功率耗散 | 225 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 60V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 75 |
| 系列 | MMBT2907AL |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | - 1.6 V |
| 集电极连续电流 | - 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 200MHz |