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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IXTT20P50P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTT20P50P价格参考。IXYSIXTT20P50P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTT20P50P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTT20P50P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXTT20P50P是一款P沟道增强型功率MOSFET,主要应用于需要高效功率控制的电子设备中。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电池充电器等,具备高耐压(500V)和良好的导通电阻特性,有助于提高能效并减少发热。 2. 电机控制:在直流电机驱动器或变频器中,用于控制电机的启停、转速与方向,适合工业自动化设备和电动工具。 3. 逆变器系统:如太阳能逆变器、UPS不间断电源等,该MOSFET的高电压和电流处理能力可支持功率转换环节的稳定运行。 4. 工业自动化与控制设备:用于工业PLC、继电器替代电路或负载开关,提供快速响应和可靠隔离。 5. 消费类电子产品:如高功率LED照明驱动、家电(如电磁炉、洗衣机)中的功率开关元件。 该器件采用TO-220封装,便于散热与安装,适用于多种中高功率应用场景。使用时需注意其栅极驱动电压要求及散热设计,以确保稳定性和寿命。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 500V 20A TO-268MOSFET -20.0 Amps -500V 0.450 Rds |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 20 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXTT20P50PPolarP™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXTT20P50P |
| Pd-PowerDissipation | 460 W |
| Pd-功率耗散 | 460 W |
| Qg-GateCharge | 103 nC |
| Qg-栅极电荷 | 103 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 4 V |
| 上升时间 | 32 ns |
| 下降时间 | 34 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5120pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 103nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 450 毫欧 @ 10A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 460W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 4.500 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | PolarP |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 450 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
| 封装/箱体 | TO-268-2 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 11 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 500 V |
| 漏极连续电流 | - 20 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 20A (Tc) |
| 系列 | IXTT20P50 |
| 通道模式 | Enhancement |