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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105Z由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105Z价格参考。International RectifierIRFR4105Z封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFR4105Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR4105Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号 IRFR4105Z 是一款 P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管中的FET分类。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电路中。 主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源开关电路,用于高效控制电源通断。 2. 负载开关:在电池供电设备中作为负载开关,控制电池与负载之间的连接,延长电池寿命。 3. 电机控制:用于小型电机的驱动和方向控制,如在电动工具或自动设备中。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 5. 工业控制:如PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代方案等。 6. 消费电子:用于笔记本电脑、移动电源、智能家电等设备中的功率控制。 该MOSFET具备良好的导通电阻和开关性能,适合中低功率应用,且封装形式便于散热和集成,适用于多种嵌入式系统和功率电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR4105Z |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 740pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 24.5 毫欧 @ 18A,10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR4105Z |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 30A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru4105z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru4105z.spi |