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FDS4435BZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDS4435BZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDS4435BZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDS4435BZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC。您可以下载FDS4435BZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDS4435BZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDS4435BZ是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理模块和负载开关电路。 该器件常用于电池供电设备,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源切换与管理,因其低导通电阻(RDS(on))和小封装尺寸,有助于提升能效并节省空间。此外,FDS4435BZ也适用于DC-DC转换器,作为同步整流或开关元件,提高转换效率。 在电机驱动、LED驱动及热插拔电源控制等工业与消费类应用中,该MOSFET凭借快速开关特性和良好的热稳定性,表现出优异的性能。其SOT-23或类似小型封装形式,适合高密度PCB布局,广泛用于空间受限的设计中。 总之,FDS4435BZ适用于需要高效、低功耗和小型化的开关电源、负载开关、电池管理系统及各类便携式电子设备中,是现代低电压、低功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOICMOSFET 30V.PCH POWER TRENCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.8 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDS4435BZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDS4435BZ |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1845pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 20 毫欧 @ 8.8A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | FDS4435BZCT |
| 典型关闭延迟时间 | 68 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 187 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 24 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8.8A (Ta) |
| 系列 | FDS4435 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | FDS4435BZ_NL |