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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP22N60N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP22N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCP22N60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 205W(Tc) TO-220-3。您可以下载FCP22N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP22N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCP22N60N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有高电压耐受能力(600V),适合用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FCP22N60N 的高击穿电压(600V)使其非常适合应用于开关电源中的高压开关场景,例如 AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器。 - 它可以作为主开关管,用于 PWM 控制的升压、降压或反激式拓扑结构中。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和消费电子领域,该 MOSFET 可用于驱动中小功率电机。 - 适用于直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)的控制电路中,提供高效的开关性能。 3. 逆变器 - 用于太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,将直流电转换为交流电。 - 其低导通电阻(典型值为 4.5Ω)有助于减少功率损耗,提高整体效率。 4. 电磁阀控制 - 在工业设备和家用电器中,用于控制电磁阀的开启和关闭。 - 高电压特性使其能够承受电磁阀启动时的浪涌电流和电压。 5. LED 驱动 - 在大功率 LED 照明应用中,FCP22N60N 可用作开关元件,实现恒流驱动或调光功能。 - 其高效性能可降低发热,延长灯具寿命。 6. 负载开关 - 在需要高电压切换的应用中,如汽车电子或工业控制系统,该 MOSFET 可作为负载开关,快速切断或接通负载电路。 7. 保护电路 - 用于过流保护、短路保护等场合,利用其快速开关特性和高耐压能力,确保系统安全运行。 特性总结: - 高电压耐受:600V 的额定电压使其适用于高压环境。 - 低导通电阻:有助于降低功耗,提高效率。 - 快速开关速度:适合高频开关应用。 - 小型封装:节省 PCB 空间,便于设计。 综上所述,FCP22N60N 广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和消费类电子产品中,特别是在需要高电压、高效能和紧凑设计的场景下表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220MOSFET 600V N-Channel SupreMOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP22N60NSupreMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FCP22N60N |
| Pd-PowerDissipation | 205 W |
| Pd-功率耗散 | 205 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 140 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 140 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 16.7 ns |
| 下降时间 | 4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1950pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 165 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 49 ns |
| 功率-最大值 | 205W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.800 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Fairchild/FCPF22N60NT.html |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
| 系列 | FCP20N60 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |