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  • 型号: FCP22N60N
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FCP22N60N由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP22N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCP22N60N封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 205W(Tc) TO-220-3。您可以下载FCP22N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FCP22N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FCP22N60N 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。该器件具有高电压耐受能力(600V),适合用于需要高效开关和低导通电阻的应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FCP22N60N 的高击穿电压(600V)使其非常适合应用于开关电源中的高压开关场景,例如 AC-DC 转换器或 DC-DC 转换器。
   - 它可以作为主开关管,用于 PWM 控制的升压、降压或反激式拓扑结构中。

 2. 电机驱动
   - 在工业自动化和消费电子领域,该 MOSFET 可用于驱动中小功率电机。
   - 适用于直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)的控制电路中,提供高效的开关性能。

 3. 逆变器
   - 用于太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)系统中,将直流电转换为交流电。
   - 其低导通电阻(典型值为 4.5Ω)有助于减少功率损耗,提高整体效率。

 4. 电磁阀控制
   - 在工业设备和家用电器中,用于控制电磁阀的开启和关闭。
   - 高电压特性使其能够承受电磁阀启动时的浪涌电流和电压。

 5. LED 驱动
   - 在大功率 LED 照明应用中,FCP22N60N 可用作开关元件,实现恒流驱动或调光功能。
   - 其高效性能可降低发热,延长灯具寿命。

 6. 负载开关
   - 在需要高电压切换的应用中,如汽车电子或工业控制系统,该 MOSFET 可作为负载开关,快速切断或接通负载电路。

 7. 保护电路
   - 用于过流保护、短路保护等场合,利用其快速开关特性和高耐压能力,确保系统安全运行。

 特性总结:
- 高电压耐受:600V 的额定电压使其适用于高压环境。
- 低导通电阻:有助于降低功耗,提高效率。
- 快速开关速度:适合高频开关应用。
- 小型封装:节省 PCB 空间,便于设计。

综上所述,FCP22N60N 广泛应用于电力电子、工业控制、汽车电子和消费类电子产品中,特别是在需要高电压、高效能和紧凑设计的场景下表现出色。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 600V 22A TO-220MOSFET 600V N-Channel SupreMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FCP22N60NSupreMOS™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FCP22N60N

Pd-PowerDissipation

205 W

Pd-功率耗散

205 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

140 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

140 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

16.7 ns

下降时间

4 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1950pF @ 100V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

45nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

165 毫欧 @ 11A,10V

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

49 ns

功率-最大值

205W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

22 S

漏源极电压(Vdss)

600V

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/Fairchild/FCPF22N60NT.html

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

系列

FCP20N60

通道模式

Enhancement

配置

Single

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