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BUJD203AD,118产品简介:
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BUJD203AD,118 是 WeEn Semiconductors(瑞能半导体)推出的 NPN 型高电压、高增益双极结型晶体管(BJT),主要面向工业与电源管理领域的中高功率开关应用。其典型应用场景包括: - 开关电源(SMPS)中的初级侧开关或辅助电源驱动:该器件具备 800V 的高集电极-发射极击穿电压(VCEO),适合用于反激式(Flyback)、正激式(Forward)等拓扑中,驱动变压器初级绕组或控制电路。 - 电机控制与继电器驱动:凭借高电流能力(IC = 4A 连续,ICM = 12A 脉冲)和高直流电流增益(hFE 最小 20 @ IC = 2A),可直接驱动中小功率直流电机、电磁阀或固态继电器的栅极/基极驱动级。 - 电子镇流器与LED驱动电路:适用于荧光灯电子镇流器、高压LED恒流驱动的开关级,尤其在需耐受感性负载反峰电压的场合表现可靠。 - 工业控制模块与电源适配器:常见于AC-DC适配器、UPS后备电源、PLC输出模块等对可靠性与耐压要求较高的场景。 该器件采用 TO-220AB 封装,具备良好散热性;内置基极-发射极电阻(RBE ≈ 1kΩ),简化外围驱动电路设计,降低BOM成本与PCB面积。注意需配合合理散热与过压/过流保护措施以确保长期稳定运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN 425V 4A DPAK |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUJD203AD,118 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 600mA,3A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 11 @ 2A,5V |
| 供应商器件封装 | DPAK |
| 其它名称 | 568-8381-1 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 425V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 4A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 频率-跃迁 | - |