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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSC028N06NSATMA1由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSC028N06NSATMA1价格参考¥5.93-¥6.32。InfineonBSC028N06NSATMA1封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 23A(Ta),100A(Tc) 2.5W(Ta),83W(Tc) PG-TDSON-8。您可以下载BSC028N06NSATMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSC028N06NSATMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌)的BSC028N06NSATMA1是一款N沟道MOSFET,属于高性能功率MOSFET产品系列,广泛应用于需要高效能、低导通电阻和快速开关特性的场景。该器件具有60V耐压、低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于多种电源管理与功率转换场合。 典型应用场景包括: 1. 电源适配器与充电器:用于笔记本电脑、手机等设备的AC-DC电源转换电路中,提升能效并降低发热。 2. DC-DC转换器:在降压(Buck)、升压(Boost)等拓扑结构中作为开关元件,适用于服务器、通信设备及工业电源系统。 3. 电机驱动:用于电动工具、家用电器和小型工业电机的控制电路,实现高效、紧凑的驱动设计。 4. LED照明驱动:在大功率LED恒流驱动电源中提供稳定高效的开关性能。 5. 电池管理系统(BMS)与负载开关:用于便携式设备或储能系统中的电源切换与保护。 该MOSFET采用PG-TSDS-6封装,具备良好的热性能和空间利用率,适合高密度PCB布局。其优化的栅极电荷和开关损耗特性,有助于提高系统整体效率,满足能源标准要求。BSC028N06NSATMA1凭借英飞凌可靠的技术支持,广泛服务于消费电子、工业控制和绿色能源等领域。
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSC028N06NSATMA1 |
| 产品型号 | BSC028N06NSATMA1 |
| Pd-PowerDissipation | 83 W |
| Pd-功率耗散 | 83 W |
| Qg-GateCharge | 37 nC |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 19 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | OptiMOS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | TDSON-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 系列 | BSC028N06 |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 零件号别名 | SP000917416 |