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PSMN020-150W

更新时间:2025-07-05 03:56:29
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PSMN020-150W 规格参数
  • 制造商
    NXP
  • 产品种类
    MOSFET
  • 晶体管极性
    N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压
    150 V
  • 闸/源击穿电压
    +/- 20 V
  • 漏极连续电流
    73 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）
    0.02 Ohms
  • 配置
    Single Dual Drain
  • 最大工作温度
    + 175 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 封装 / 箱体
    TO-247
  • 封装
    Rail
  • 下降时间
    101 ns
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 功率耗散
    300 W
  • 上升时间
    79 ns
  • 工厂包装数量
    500
  • 典型关闭延迟时间
    233 ns
  • 零件号别名
    PSMN020-150W,127
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