Boost电源电路是一种DC-DC升压电路，能够将低电压升高到较高电压。其基本原理是利用电感储能和电容储能的方式，通过开关管的开关控制，将输入电压进行短时间内的变化，从而使输出电压得到升压。通过调整开关管的开关频率和占空比，可以控制输出电压的大小和稳定性。开关电源的主要部件包括：输入源、开关管、储能电感、控制电路、二极管、负载和输出电容。如果功率不是特别大，IC厂家会将开关管、控制电路、二极管集成到一颗电源管理芯片中，极大简化了外部电路。按照是否集成MOSFET，可以将电源IC分类为转换器、控制器。从集成
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Boost电路 工作过程 MOSFET 电源芯片
Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。该硅吸收器设计用于直流链路，最高可达1000伏直流，峰值可达1200伏，击穿额定值将超过1500伏。据公司介绍，它们“在电压超过150伏时保持恒定电容，并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具体生产
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全硅 RC 缓冲器 碳化硅 MOSFET 电压瞬变抑制
iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 BMS 放电开关的最重要安全指标——短路耐受能力（SCWC）——设定了业界基准。电动移动、无人机与专业电动工具中高压电池组的普及带来了高风险挑战：在外部短路事件中防止灾难性故障，此时电流可能激增至数千安培。放电 MOSFET 是唯一负责在这些极端条件下隔离电池组的元件。“在高能量
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iDEAL MOSFET 高压电池
Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？ 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1、 Drain-》Source穿通击穿 &n
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MOS管 MOSFET 发热
内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3.3kW的功率。该设备采用三电平飞跨电容图腾柱PFC。文中讨论了启动期间对飞跨电容充电的注意事项。PSU的尺寸为72mmx40mmx192mm，在230VAC输入电压下，PSU总峰值效率超过97.6%，功率密度大于100W/in³。简介服务器和电信应用的发展趋势是功率密度不断提高。例如，开
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英飞凌 MOSFET 服务器 人工智能
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。新OptiMOS
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英飞凌 MOSFET
电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、
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英飞凌 MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，已开始量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等耐压和导通电阻的以往封装产品（TO-263-7L）相比，其散热性提升约39%，虽然体型小且薄，却能支持大功率。该产品非常适用于功率密度日益提高的服务器电源、ESS（储能系统）以及要求扁平化设计的薄型电源等工业设备。与以往封装产品相比，新产品的体积更小更薄，器件面积削减了约26%，厚度减半，仅为2.3mm。另外，很多TOLL封装的普通产品的
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ROHM SiC MOSFET
碳化硅（SiC）在耐高温、耐电压和电力效率方面优于传统硅，全球领导者如英飞凌和 Wolfspeed 正在争先。现在，韩国也加大了力度——Maeil 商业报纸报道，釜山已开启了韩国首个 8 英寸碳化硅功率半导体工厂。据报道，釜山广域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的总部和生产设施。该工厂投资了 1000 亿韩元，使韩国首次能够完全本土化生产 8 英寸碳化硅功率半导体。如《韩国先驱报》所强调，釜山广域市政府将项目的完成视为一个关键里程碑，旨在提升国内8英寸碳化硅功率半导体的生产并
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碳化硅 MOSFET 电源 功率半导体
iDEAL半导体近日宣布，其200 V SuperQ™ MOSFET系列中的首款产品已进入量产阶段，另外四款200 V器件现已提供样品。SuperQ是硅MOSFET技术在超过25年来的首次重大进步，突破了长期存在的开关和导通限制。它在性能和效率方面实现了阶跃式提升，同时保留了硅的核心优势：坚固性、高产量制造能力，以及在175 °C下的可靠表现。首款进入量产的200 V器件是iS20M028S1P，这是一款25 mΩ的MOSFET，采用TO-220封装。iDEAL的最低电阻200 V器件现已在T
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iDEAL MOSFET
随着全球汽车行业电气化进程的加速，市场对高效、紧凑且可靠的功率系统的需求持续增长——不仅乘用车领域如此，电动两轮车领域亦是如此。这些车辆需要特殊的系统支持，例如xEV上的高压-低压DC/DC转换器和电动两轮车上的牵引逆变器。此类系统必须在满足高质量标准的同时，能够应对技术、商业和制造方面的多重挑战。为满足上述需求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布扩展其OptiMOS™ 6产品组合，推出新型车规级150V MOSFET产品系列。新产品专为满足现代电动汽车的严苛要求量身打造，并
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英飞凌 MOSFET 汽车电气化
iDEAL 半导体宣布其首批基于 SuperQ™的 200V MOSFET 已进入量产阶段，另外还有四个 200V 器件正在进行样品测试。SuperQ 是过去 25 年来硅 MOSFET 技术的第一个重大进步，突破了长期存在的开关和导通限制。它在提供性能和效率飞跃的同时，保留了硅的核心优势：坚固性、大规模可制造性和在 175°C 下经过验证的可靠性。首个进入大规模生产的 200 V 器件 iS20M028S1P 是一款 TO-220 封装的 25 mΩ MOSFET。iDEAL 的最低电阻 200 V 器
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MOSFET 选型MOS 新品 iDEAL
中国上海，2025年8月28日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。 三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)
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东芝 SiC MOSFET
电容-电压 (C-V) 测量广泛用于半导体材料和器件表征，可提取氧化物电荷、界面陷阱、掺杂分布、平带电压等关键参数。传统基于 SMU 施加电压并测量电流的准静态方法适用于硅 MOS，但在 SiC MOS 器件上因电容更大易导致结果不稳定。为解决这一问题，Keithley 4200A-SCS 引入 Force-I QSCV 技术，通过施加电流并测量电压与时间来推导电容，获得更稳定可靠的数据。Force-I QSCV 技术在 SiC 功率 MOS 器件上体现出多项优势。比如仅需 1 台带前
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202509 SiC MOSFET 界面陷阱检测 QSCV 泰克
mosfet介绍
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSF [
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