● 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国● 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值● 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用英飞凌300mm GaN技术美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利1。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中
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美国国际贸易委员会 英飞凌 英诺赛科 专利侵权案 GaN
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达 160W 功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺寸。这一合作成果正在重新定义高功率密度和高效率的行业标准，尤其体现在安克推出的 160W Prime 充电器上。这款业界领先的设备采用英飞凌最新的 XDP™ 数字控制器以及基于氮化镓（GaN）的 CoolGaN™ 晶体管技术，
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英飞凌 反激式控制器 CoolGaN 安克 Prime充电器
反激变换器作为电源产品中几乎不可缺少的一个拓扑，从事电力电子产品开发的工程师是相当的熟悉，尤其是单管反激变换器，更是工程师从小白开始修炼的起点，万丈高楼平地起嘛。在经典的单管反激变换器上，又衍生出各种各样的变化，开关方式从硬开关变化为准谐振（QR），有源钳位(ACF)，零电压开通（ZVS）等，以及拓扑的演变，从单管反激变为双管反激。简单讲，这些演变都是基于经典硬开关的单管反激拓扑的优化，以实现降低开关损耗，优化EMC，解决关断过压风险等。今天要讨论的主题就是双管反激变换器。在1500V的光伏，储能系统中，
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英飞凌 双管反激变换器
英飞凌科技股份公司近日宣布将为Enphase Energy, Inc.（ENPH）新一代光伏微型逆变器提供其突破性的氮化镓（GaN）技术。Enphase Energy是一家全球领先的能源技术公司，同时也是光伏及电池系统微型逆变器领域全球领先的供应商。英飞凌的CoolGaN™双向开关（BDS）技术可大幅提升Enphase IQ9系列微型逆变器的输出功率、能源效率及系统可靠性，有助于简化新一代IQ9N-3P™商用微型逆变器的设计复杂性，并降低其安装和系统平衡成本。采用英飞凌氮化镓技术的Enphase Ener
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英飞凌 氮化镓 光伏微型逆变器
11月13日， “第三届英飞凌汽车创新峰会暨第十二届汽车电子开发者大会”（简称IACE，以下同）在苏州举行。本届大会以“智行万象”为主题，来自汽车行业产业链上下游的1500多位业界精英同场论道，共话“汽车应用与生态多元”时代下低碳化、数字化的新路径，为整车、零部件、汽车半导体等上下游产业链的跨界协同搭建了重要桥梁。 会上，英飞凌围绕智能驾驶、电子电气架构与电驱、高效动力总成等八大应用版图及超过60个细分领域，集中发布了近20款创新产品。在生态展区，首次展示了飞行汽车及20款新能源车最新车型，更有
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英飞凌 汽车创新
大家对氢元素肯定都不陌生，认识它基本都是从背元素周期表开始的。近年来我们身边多了很多氢的身影，从北京冬奥会的氢燃料电池大巴，再到广州南沙小虎岛电氢智慧能源站，氢也越来越被大家熟知。工业上，氢的使用可是一点都不少，自 1975 年以来，需求量增长了三倍，而且还在继续增长。然而，氢气生产目前几乎全部由化石燃料供应，消耗了全球约 6% 的天然气和 2% 的煤炭。据估计，目前全球每年氢气生产产生的二氧化碳排放量为 8.3 亿吨，相当于英国和印度尼西亚的排放量总和，氢气生产的增长与遏制全球气温上升的努力不相适应[1
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英飞凌 制氢电源
作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自彭宇维的投稿。“别有幽愁暗恨生，此时无声胜有声”。——唐.白居易一首《琵琶行》，道出“有”和“无”的辩证关系，于人们的日常生活中无处不在，它们共同谱写了生命的乐章。就拿我们都经历过的“体检”来说，人体最基础、最核心的两大指标无疑是心率和血压。心率是指心脏跳动的频率，正常人的心率一般在每分钟60~100次，而心率的快慢则源自人体的内在需求，譬如，在剧烈运动中，人的肌肉、神经都处于激活状态，此时心率随之上升，血液循环加速，就能为人体提供更多的物质与能量支
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英飞凌 电力电子 无功补偿装置
作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自付诗意的投稿。在当今的科技时代，锂离子电池作为一种高效、轻便的能量存储设备，广泛应用于电动汽车、便携式电子设备、储能系统等领域。为了确保锂离子电池的安全、可靠和高效运行，电池管理系统（Battery Management System，BMS）起着至关重要的作用。本文将深入探讨锂离子电池管理中的关键环节，包括电池建模、状态估计和故障诊断。1锂离子电池建模电池建模是理解和预测锂离子电池行为的基础。通过建立准确的电池模型，可以更好地了解电池的性能、寿命和
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英飞凌 电池管理
摘要/反激拓扑广泛应用于中小功率开关电源中，为了提高反激拓扑的转换效率，本文提出了一种全输入电压及负载范围内可以实现原边MOSFET零电压开通（ZVS）的控制策略，从而提高了转换效率。本文通过理论分析给出其中所涉及的参数的计算方法，并通过仿真与实际电源的测试验证了该策略的有效性。01 背景 反激（Flyback）拓扑因其结构简洁，控制策略简单，适合多路输出，可靠性高，成本低等特点广泛应用于家电，充电器，辅助电源等领域。对于输出电流较大的应用（例如快速充电器），输出侧往往采用
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英飞凌 电源控制策略
摘要功率半导体热设计是实现IGBT、SiC高功率密度设计的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识和测试的基本技能，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。功率器件热设计基础系列文章已经比较系统地讲解热设计基础知识、相关标准和工程测量方法，本篇的话题是《使用热成像仪测温度的注意事项》。用热成像仪测温度，在电力电子系统设计和验证中，是一个简单有效的非接触式测温度的方法，非常受工程师的欢迎，但工程应用中的一些疑问和误区需要梳理一下。你有没有想过，热成像仪为何能“看见”温度？
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英飞凌 功率器件热设计 热成像仪
作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自朱子钰的投稿。1前言想象一下，你是一个侦探，正在追踪一个神秘的窃贼。这个窃贼不是偷走你的财物，而是偷走你的电力。但别担心，我们有非侵入式负荷监测（NILM）技术，它就像一个智能侦探，能够追踪每一个电器的电力消耗，让你的电力使用变得透明和可控。1家庭用户：智能家庭的“管家”在家庭环境中，电力消耗就像是一个复杂的谜团。你可能会好奇，为什么电费账单总是那么高？是不是有电器在你不知情的情况下偷偷耗电？非侵入式负荷监测技术可以帮助你解开这个谜团。2.1家庭节能
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英飞凌 负荷监测
内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3.3kW的功率。该设备采用三电平飞跨电容图腾柱PFC。文中讨论了启动期间对飞跨电容充电的注意事项。PSU的尺寸为72mmx40mmx192mm，在230VAC输入电压下，PSU总峰值效率超过97.6%，功率密度大于100W/in³。简介服务器和电信应用的发展趋势是功率密度不断提高。例如，开
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英飞凌 MOSFET 服务器 人工智能
作者简介本文是第二届电力电子科普征文大赛的获奖作品，来自清华大学的梁露露投稿。绿皮火车轰隆隆一路向西驶去，窗外的景色由绿色逐渐变得荒凉，鳞次栉比的太阳能光伏板形成一片“蓝色的海洋”，在阳光的照耀下熠熠生辉。这是今日中国西部广袤荒野中的一道独特风景，也是中国光伏产业蓬勃发展的生动写照。当今，能源问题如同高悬于人类头顶的达摩克利斯之剑，光伏发电正以其清洁、可再生的独特优势，成为了最具潜力的能源解决方案之一。在此过程中，电力电子技术恰似一位神奇的魔法师，为光伏产业的推进注入了强大的动力。现在，让我们一同踏上这场
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英飞凌 光伏 电力电子
在散热器上安装的IGBT 模块并非密封设计，尽管芯片上方有一层硅胶，但是水汽仍然可以通过外壳间隙以及硅胶进入器件芯片内部。因此，器件在使用和存储过程中，必须避免湿气或者腐蚀性气体。目前大多数IGBT 模块允许工作的温湿度以及气候条件遵循IEC60721-3-3规定,为使客户更加了解IGBT 的使用环境条件，本文主要介绍温度以及湿度运行条件。IEC 60721-3-3标准把气候条件分成5类:3K20:温度湿度连续可控，而且经常有人维护，比如用于室内产品。3K21:温度可控，湿度不连续可控。 比如机房，数据中
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英飞凌 IGBT
ANPC（Active Neutral Point Clamped）拓扑即有源中点钳位技术，是基于NPC型三电平拓扑改进而来，最早提出是用来克服NPC三电平拓扑损耗分布不均匀和中点电位问题。从结构上看，ANPC是将NPC1的钳位二极管替换为IGBT与二极管反并联钳位的结构，与NPC1一样可以实现三电平输出以降低谐波，且器件耐压和NPC1相同。通过增加两个IGBT，新增两条零电平换流路径，有益于改善损耗分布，具有更多的控制策略。ANPC拓扑目前广泛应用在风电变流器，光伏发电，电池储能等领域。 三
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英飞凌 ANPC拓扑 ANPC 拓扑调制策略
英飞凌介绍
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，至今在世界拥有35,600多名员工，2004财年公司营业额达71.9亿欧元，是全球领先的半导体公司之一。作为国际半导体产业创新的领导者，英飞凌为有线和无线通信、汽车及工业电子、内存、计算机安全以及芯片卡市场提供先进的半导体产品及完整的系统解决方案。英飞凌平均每年投入销售额的17%用于研发，全球共拥有41,000项专利。自从1996年在无锡建立 [
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