－三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度－ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。 此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。 未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。 第3代SiC MOSFET封装产品线
测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω 续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较） 图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较 应用： -服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源 -电动汽车充电站 -光伏逆变器 -不间断电源 特性： -表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗 -东芝第3代SiC MOSFET 通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性 低漏源导通电阻×栅漏电荷 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V） 主要规格： （除非另有说明，Ta＝25°C）
注： [1]截至2025年8月。 [2]电阻、电感等。 [3]一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。 [4]截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。 [5]采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET 如需了解有关新产品的更多信息，请访问以下网址： TW027U65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW027U65C.html TW048U65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW048U65C.html TW083U65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/mosfets/detail.TW083U65C.html 如需了解相关东芝SiC功率器件的更多信息，请访问以下网址： SiC功率器件 https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/product/power-semiconductors.html 如需了解相关新产品在线分销商网站的供货情况，请访问以下网址： TW027U65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW027U65C.html TW048U65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW048U65C.html TW083U65C https://toshiba-semicon-storage.com/cn/semiconductor/where-to-buy/stockcheck.TW083U65C.html
