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NTMFS4841NHT1G

更新时间:2025-07-03 13:59:10

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市诚研翔科技有限公司
NTMFS4841NHT1G
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只做原装正品，提供一站式配套服务
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深圳市爱冠伟业电子有限公司
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专营进口原装，优势现货

深圳市嘉志达电子有限公司
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原装现货力挺实单

深圳市先杰世纪科技有限公司
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深圳市索辉电子有限公司
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深圳市科星恒达电子有限公司
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QFN8/10+
全新原装现货

深圳市中元伟业电子商行
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深圳市旺财半导体有限公司
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ON/安森美
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原装现货需要的加QQ3552671880 2987726803

深圳市华斯顿科技有限公司
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原装现货/优势渠道商、原盘原包原盒

深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市英科美电子有限公司
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深圳市得捷芯城科技有限公司
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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市得捷芯城科技有限公司
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深圳市金科创世纪电子有限公司
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原装现货，可开票，提供账期诚信服务

深圳奋发微电子有限公司
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深圳市莱克讯科技有限公司
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so8fl/1910+
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NTMFS4841NHT1G外观图

NTMFS4841NHT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL

封装:8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）

NTMFS4841NHT1G 概述

NTMFS4841NHT1G是由安森美半导体生产的N沟道增强型MOSFET，采用TSOP-6封装。这款MOSFET专为低电压应用设计，具有低导通电阻和快速开关特性。其典型应用场景包括负载开关、电源管理以及DC-DC转换器等便携式设备中。在负载开关电路中，NTMFS4841NHT1G可以有效控制电流的通断，减少功耗。当用于DC-DC转换器时，它能够提高转换效率并减小尺寸。由于其出色的热性能和电气特性，在紧凑型设计中表现卓越。建议在使用时注意散热设计，并确保栅极驱动电压足够以达到最佳导通效果。根据具体应用需求选择合适的外围元件如电感、电容等，以优化整体电路性能。

NTMFS4841NHT1G 规格参数

标准包装
1,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.6A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
7 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
33nC @ 11.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
2113pF @ 12V
功率 - 最大
870mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装
6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMFS4841NHT1G-NDNTMFS4841NHT1GOSTR

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