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NTMFS4821NT1G

更新时间:2025-07-03 17:05:15

供应商
产品型号
服务标识
数量
厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市优尚半导体科技有限公司
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武汉力源信息技术股份有限公司
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深圳市科昂电子集团有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳市旺财半导体有限公司
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深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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NTMFS4821NT1G外观图

NTMFS4821NT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 8.8A SO-8FL

封装:8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）

NTMFS4821NT1G 概述

NTMFS4821NT1G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用小巧的SOT-23封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下典型值为26mΩ。其最大漏源电压额定值为20V，连续漏极电流可达3.8A。此MOSFET适用于需要高效功率转换的应用场景，如便携式设备中的负载开关、电池充电管理以及DC - DC转换器等。在便携式设备中，它的低功耗有助于延长电池使用时间；在DC - DC转换器中，能有效减少能量损耗，提高转换效率。使用时应注意避免超过最大额定参数，并根据具体应用合理设计驱动电路以确保最佳性能。

NTMFS4821NT1G 规格参数

标准包装
1,500
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
8.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
6.95 毫欧 @ 30A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
1400pF @ 12V
功率 - 最大
870mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
供应商设备封装
6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTMFS4821NT1G-NDNTMFS4821NT1GOSTR

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